605
Нашриёт ҳақида маълумот
Номи:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI
Манзил:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.
Телефон: +998 71 248 79 94
Электрон почта: ispm_uz@mail.ru
| Номи | 2020, том 2, выпуск 4 | ||
| Журнал | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Том рақами | 2 | ||
| Нашр этилган сана | 25/08/2020 | ||
| Саҳифалар сони | 69 | ||
| Бу йилдаги нашр тартиб рақами | 4 | ||
| Умумий сони | 6 | ||
| Файл | |||
| Макола тўлиқ номи | Тил | Саҳифа | Кўришлар сони | Ўқишлар сони |
|---|---|---|---|---|
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 48-51 | 170 | 0 |
|
POSSIBILITIES OF USING HIGHLY COMPENSATED SILICON IN ELECTRONICS Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 52-54 | 133 | 0 |
|
INFLUENCE OF HIGH RADIATION DOSES ON THE BEHAVIOR OF TRANSITION ELEMENT IMPURITIES IN SILICON Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 55-58 | 107 | 0 |
|
CIRCUIT SIMULATION OF RADIATION-SENSITIVE PARAMETERS OF THE OPERATIONAL AMPLIFIER LM358 Физика полупроводников и микроэлектроника |
O'zbek | 59-62 | 62 | 0 |
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 63-66 | 235 | 0 |