Бош саҳифа
Журналлар
Муаллифлар
Мақолалар
Янгиликлар
O'zbek
Руский
Инглиз тили
Кириш
INFLUENCE OF HIGH RADIATION DOSES ON THE BEHAVIOR OF TRANSITION ELEMENT IMPURITIES IN SILICON
Бош саҳифа
Мақолалар
INFLUENCE OF HIGH RADIATION DOSES ON THE BEHAVIOR OF TRANSITION ELEMENT IMPURITIES IN SILICON
143
Журнал номи
Физика полупроводников и микроэлектроника
Нашр номи
2020, том 2, выпуск 4
Кўришлар сони
143
Internet ҳавола
https://uzjournals.edu.uz/semiconductors/vol2/iss4/13/
DOI
UzSCI тизимида яратилган сана
28-03-2022
Ўқишлар сони
0
Нашр санаси
25-08-2020
Мақола тили
Ingliz
Саҳифалар сони
55-58
Калит сўзлар
Аннотациялар
Муаллифлар
Фойдаланилган адабиётлар
Ҳужжатни онлайн кўриш
№
Муаллифнинг исми
Лавозими
Ташкилот номи
1
Utamuradova S.B.
Director
Semiconductor Physics and Microelectronics Research Institute
№
Ҳавола номи
Кутилмоқда