754

Нашриёт ҳақида маълумот

Номи:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI

Манзил:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.

Телефон: +998 71 248 79 94

Электрон почта: ispm_uz@mail.ru

Номи 2019, Том 1, выпуск 2
Журнал Физика полупроводников и микроэлектроника
Том рақами 1
Нашр этилган сана 28/04/2019
Саҳифалар сони 70
Бу йилдаги нашр тартиб рақами 2
Умумий сони 6
Файл
Кутилмоқда
Макола тўлиқ номи Тил Саҳифа Кўришлар сони Ўқишлар сони

ВЛИЯНИЕ УЛЬТРАЗВУКОВЫХ ВОЛН НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Si-ФОТОПРИЕМНИКОВ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 41-47 297 0

СТАБИЛИЗИРУЮЩЕЕ ДЕЙСТВИЕ ЦИТРАТА НАТРИЯ ПРИ ПОЛУЧЕНИИ НАНОЧАСТИЦ СЕРЕБРА МЕТОДОМ ХИМИЧЕСКОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 48-52 138 0

ОСОБЕННОСТИ ДИФФУЗИИ В ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКЕ CoSi2, ВЫРАЩЕННОЙ НА ПОВЕРХНОСТИ ФЛЮОРИТА

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 53-57 501 0

МОДЕРНИЗАЦИЯ ФОТО-ТЕПЛОВОЙ БАТАРЕИ ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В УСЛОВИЯХ ЖАРКОГО КЛИМАТА

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 58-64 532 0

ВЛИЯНИЕ - ОБЛУЧЕНИЯ НА ГОЛОГРАФИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ (ХСП) ПЛЕНОК

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 65-69 418 0