Номи | 2019, том 1, выпуск 5 | ||
Журнал | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
Том рақами | 1 | ||
Нашр этилган сана | 28/10/2020 | ||
Саҳифалар сони | 79 | ||
Бу йилдаги нашр тартиб рақами | 5 | ||
Умумий сони | 79 | ||
Файл |
Макола тўлиқ номи | Тил | Саҳифа | Кўришлар сони | Ўқишлар сони |
---|---|---|---|---|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 9-27 | 557 | 0 |
ОСОБЕННОСТИ ПЕРЕНОСА ТОКА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ n-GaP-p-(InSb)1-x(Sn2)x ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 28-35 | 443 | 0 |
ВЛИЯНИЕ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ОБРАБОТОК НА ПОВЕДЕНИЕ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В КРЕМНИИ ЛЕГИРОВАННОМ ПЛАТИНОЙ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 36-40 | 425 | 0 |
DIGITAL HOLOGRAPHIC INTERFEROMETRY IN PHYSICAL MEASUREMENTS Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 345 | 0 | |
THREE-BARRIER Au/AlGaAs(n)/GaAs(p)/Ag PHOTODIODE STRUCTURES Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 47-51 | 479 | 0 |