Заглавие Авторы Язык статьи Просмотры Чтения
ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕГРАДАЦИИ СИЛОВЫХ ДИОДОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИЯ -КВАНТАМИ 60Сo

Физика полупроводников и микроэлектроника

Tagaev M.B.,
Abdikamalov B.A.,
Statov V.A.,
Bekbergenov S.E.
Rus 467 0
МОДЕРНИЗАЦИЯ ФОТО-ТЕПЛОВОЙ БАТАРЕИ ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В УСЛОВИЯХ ЖАРКОГО КЛИМАТА

Физика полупроводников и микроэлектроника

Muminov R.A.,
Tursunov M.N.,
Sabirov K..,
Shokuchkorov S.K.,
Pirimmatov M.P.,
Eshmuradova M.N.
Rus 429 0
РАДИАЦИОННЫЕ И КОНВЕКТИВНЫЕ ПОТЕРИ В ТЕПЛООТВОДЯЩЕМ КАНАЛЕ ФОТОТЕПЛОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Tukhfatullin O.F.,
Muminov R.A.
Rus 415 0
РАДИАЦИОННОЕ И ТЕРМИЧЕСКОЕ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ В КРЕМНИЕВЫХ МДП-СТРУКТУРАХ С ПРИМЕСЯМИ ТУГОПЛАВКИХ ЭЛЕМЕНТОВ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Daliev K.S.,
Daliev S.K.,
Paluanova A.D.,
Khusanov Z..
Rus 378 0
ВЛИЯНИЕ ДОЗЫ  - ОБЛУЧЕНИЯ НА МЕХАНИЗМ ПЕРЕНОСА ТОКА ФОТОПРИЕМНИКОВ С ПДП СТРУКТУРОЙ pCdTe-TeO2-n SnO2

Физика полупроводников и микроэлектроника

Utamuradova S.B.,
Muzafarova S.A.
Rus 355 0
ВЛИЯНИЕ - ОБЛУЧЕНИЯ НА ГОЛОГРАФИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ (ХСП) ПЛЕНОК

Физика полупроводников и микроэлектроника

Azamatov Z.T.,
Azamatov T.Z.,
Bekchanova M.R.
Rus 333 0
ЗАРЯДОВОЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ИОНОВ Si, ЭМИТИРУЕМЫХ МОНОЭЛЕМЕНТНОЙ ЛАЗЕРНОЙ ПЛАЗМОЙ, ДО И ПОСЛЕ γ- ОБЛУЧЕНИЯ МИШЕНИ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Azamatov Z.T.,
Nasriddinov S.S.,
Satiboldiev T.B.,
Tojinazarov F.M.,
Kodirov S.R.
Rus 331 0
СПЕКТРЫ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В ПОРОШКАХ ОКСИДА ЦИНКА ПРИ ЛАЗЕРНОМ ВОЗБУЖДЕНИИ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rakhmatullaev I.A.,
Gorelik V.S.,
Kurbonov A.K.
Rus 327 0
ВЛИЯНИЕ γ - ОБЛУЧЕНИЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ТЕРМОДАТЧИКА НА ОСНОВЕ Si < Ni >

Физика полупроводников и микроэлектроника

Ismoilov S.A.,
Nasriddinov S.S.,
Esbergenov D.M.
Rus 316 0
THE INFLUENCE OF EXTERNAL FACTORS ON PROPERTIES OF IRRADIATED SILICON MIS STRUCTURES

Физика полупроводников и микроэлектроника

Daliev K.S. Ingliz 265 0