Исследовано влияние изохронного отжига на параметры МДП-структур с примесями вольфрама и молибдена, облученных g-квантами 60Со. Показано, что присутствие в кремниевой подложке МДП-структур примесей тугоплавких элементов - вольфрама или молибдена приводит к стабилизации всех параметров исследуемых структур Al-SiO2-Si<W> и Al-SiO2-Si<Mo> при различных термообработках при температурах Тотж=70÷400оС и облучении. Установлено, что предварительный отжиг МДП-структур с примесями W и Mo при 350оС в течение 30 минут в атмосфере азота, проведенный в целях снижения плотности поверхностных состояний, уменьшает концентрацию радиационных дефектов, вводимых облучением.
Исследовано влияние изохронного отжига на параметры МДП-структур с примесями вольфрама и молибдена, облученных g-квантами 60Со. Показано, что присутствие в кремниевой подложке МДП-структур примесей тугоплавких элементов - вольфрама или молибдена приводит к стабилизации всех параметров исследуемых структур Al-SiO2-Si<W> и Al-SiO2-Si<Mo> при различных термообработках при температурах Тотж=70÷400оС и облучении. Установлено, что предварительный отжиг МДП-структур с примесями W и Mo при 350оС в течение 30 минут в атмосфере азота, проведенный в целях снижения плотности поверхностных состояний, уменьшает концентрацию радиационных дефектов, вводимых облучением.
The effect of isochronous annealing on the parameters of MIS- structures with impurities of tungsten and molybdenum irradiated with 60Co g-quanta was studied. It is shown that the presence of impurities of refractory elements - tungsten or molybdenum - in the silicon substrate of MIS - structures leads to stabilization of all parameters of the studied structures Al-SiO2-Si<W> and Al-SiO2-Si<Mo> under various heat treatments at temperatures Totj = 70÷400oC and irradiation. It was found that pre-annealing of MIS - structures with W and Mo impurities at 350oC for 30 minutes in a nitrogen atmosphere, carried out in order to reduce the density of surface States, reduces the concentration radiation defects introduced by irradiation.
| № | Имя автора | Должность | Наименование организации |
|---|---|---|---|
| 1 | Daliev K.S. | Директор | исполнительный директор филиала НИУ «МЭИ» в городе Ташкенте |
| 2 | Daliev S.K. | Сотрудник | НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ |
| 3 | Paluanova A.D. | Сотрудник | НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ |
| 4 | Khusanov Z.. | Сотрудник | Национальный университет Узбекистана имени Мирзо Улугбека |
| № | Название ссылки |
|---|---|
| 1 | Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника |