Методами ИК-поглощения и рентгеновской топографии изучено влияние внешних факторов на дефектную структуру кремния, легированного вольфрамом. Обнаружена корреляция между уменьшением концентрации междоузельного оптически активного кислорода и глубоких уровней, связанных с атомами вольфрама с изменением размеров крупных скоплений дефектных частиц различной формы в Si при отжиге.
the influence of external factors on the defective structure of silicon doped with tungsten has been studied using IR absorption and x-ray topography. A correlation was found between a decrease in the concentration of interstitial optically active oxygen and deep levels associated with tungsten atoms with a change in the size of large clusters of defective particles of various shapes in Si during annealing
| № | Имя автора | Должность | Наименование организации |
|---|---|---|---|
| 1 | Daliev S.K. | ||
| 2 | Paluanova A.D. | ||
| 3 | Ergashev J.. | ||
| 4 | Rakhimov A.. |
| № | Название ссылки |
|---|---|
| 1 | Vyvenko O.F., Sachdeva R. et al, Study of diffusivity and electrical properties of Zr and Hf in silicon, in Semiconductor Silicon-2002. 2002, The Electrochemical Society: Pennington. p. 410-451. |
| 2 | Codegoni D., Polignano M.L., Caputo D., Riva A. et.al. Molybdenum Contamination in Silicon: Detection and Impact on Device Performances. Solid State Phenomena Vols. 145-146 (2009) pp 123-126. |
| 3 | Gerasimenko N.N. Kremnij - material nano`elektroniki. M.: Tehnosfera, 2007. - S.351. |
| 4 | Daliev Sh.H., Mamadalimov A.T., Nasriddinov S.S., Paluanova A.D., Bekmuratov M.B. Vliyanie termoobrabotki na povedenie glubokih urovnej v kremnii, legirovannom vol'framom. Fizika poluprovodnikov i mikro`elektronika. 1 (01) 2019, s.23-26. |