Обнаружено, что присутствие атомов Cr, Fe, Mn и Co в объеме кремния, независимо от вида и состояния введенной примеси, приводит к снижению эффективности введения А-центров и Е-центров в несколько раз. Кроме того, обнаружено, что при больших дозах облучения кинетика накопления Е-центров зависит от зарядового состояния введенной примеси.

it was Found that the presence of Cr, Fe, Mn and Co atoms in the silicon volume, regardless of the type and state of the introduced impurity, leads to a decrease in the efficiency of the introduction of A-centers and E-centers by several times. In addition, it was found that at high doses of radiation, the kinetics of accumulation of E-centers depends on the charge state of the introduced impurity.