Показано что, в зависимости от температуры концентрация электрически активного никеля может увеличиваться на 1-1,5 порядка. Доказано что, введение никеля в кремний позволяет получить материал со стабильными электрофизическими параметрами. Определены условия получения полупроводниковых материалов, установлены режимы диффузии, позволяющие получить образцы с удельным сопротивлением ρ > 2ˑ105 Ом·см.

It is shown that, depending on the temperature, the concentration of electrically active nickel can increase by 1-1.5 orders of magnitude. It is proved that the introduction of nickel into silicon allows one to obtain a material with stable electrophysical parameters. The conditions for obtaining semiconductor materials are 115 determined, diffusion regimes are established that make it possible to obtain samples with specific resistance ρ> 2ˑ105 Ohm · cm