255

  • Название журнала
  • Номер выпуска
  • Количество просмотров 255
  • Ссылка в интернете
  • DOIdoi.org/10.47100/conference_physics/S2_19
  • Дата создание в систему UzSCI 20-08-2020
  • Количество прочтений 142
  • Дата публикации
  • Язык статьиO'zbek
  • Страницы119-127
Ключевые слова
Русский

Понятие псевдощели, инфракрасные и оптические спектры использованы для объяснения механизма электропроводности силикатного стекла, легированного оксидами переходных металлов (толстопленочные резисторы), и для оценки параметров его электронной подситемы (концентрация носителей, частота рассеяния, эффективная масса, плотность состояний). Результаты этих оценок согласуются с тем, что в легированном силикатном стекле имеет место одновременно активационная и прыжковая проводимость, причем прыжки носителей осуществляются не между частицами лигатуры, но между нанокристаллами, присущими стеклу как таковой (до легирования).

Ключевые слова
№ Имя автора Должность Наименование организации
1 Oksengendler B.L.
2 Abdurahmonov G..
3 Shimanskiy V.I.
4 Urakov A.N.
№ Название ссылки
1 Prudenziati M., Rizzi A., Davoli P. and Mattei A. (1983) Tunneling in ThickFilm Resistors and the Minimum of Resistanceю Il Nuovo Cimento 2D (3) 697- 710. https://doi.org/10.1007/BF02453211
2 Angus H. C. and Gainsbury P. E. (1968) Glaze resistors with ruthenium dioxide. Electronic components 6(1) 84 - 88.
3 Grimaldi C. Conduction mechanisms in printed thick-film resistors. Ch. 5 in: Printed Films / Eds. M. Prudenziati, J. Hormadaly. Cambridge: Woodhead Publishing, 2012. P. 112-130. DOI: 10.1533/9780857096210.1.112
4 Murthy K.S.R.C. (2019) Evolution of conduction mechanism in thick film resistors // Int. J. Adv. Res. 7(4) 238-256. DOI: 10.21474/IJAR01/8811.
5 Wen M., Guan X., Li H., Ou J. (2019) Temperature characteristics of thick-film resistors and its applications a strain sensor with low temperature-sensitivity // Sensors and Actuators A: Physical A301 111779-111787. https://doi.org/10.1016/j.sna.2019.111779
6 Affronte M., Campani M., Piccinini S., et al. (1997) Low temperature electronic transport in RuO2-based cermet resistors. Journal of Low Temperature Physics 109(3-4) 461-475. DOI 10.1007/BF02396906
7 Abdurakhmanov G. (2011) On the conduction mechanism of silicate glass doped by oxide compounds of ruthenium (thick film resistors). 1. Diffusion and percolation levels. World J. Condensed Matter Physics 1 (2) 19-23. DOI: 10.4236/wjcmp.2011.12004
8 Abdurakhmanov G. (2011) On the Conduction Mechanism of Silicate Glass Doped by Oxide Compounds of Ruthenium (Thick Film Resistors). 2. Nanocrystals in the Glass and Charge Carrier's Localization. American Journal of Materials Science 1(1): 12-17. DOI: 10. 5923/j.materials.20110101.01
9 Abdurakhmanov G. (2014) On the Conduction Mechanism of Silicate Glass Doped by Oxide Compounds of Ruthenium (Thick Film Resistors). 3. The minimum of temperature dependence of resistivity. World J. Cond. Matter Phys. 4 (3) 166-178. DOI: 10.4236/wjcmp.2014.43021
10 Прянишников В.П. Система кремнезема. Изд-во литературы по строительству. Л., 1971. – 240 с.
11 Makori N. E., Oeba D. A., Mosiori C. O. (2017) Relationship between Band gap and particle size of Cadmium sulfide Quantum Dots. Chemistry Research Journal 2(5):15-21.
12 Мотт Н., Дэвис Э., Электронные процессы в некристаллических веществах. В 2-х т. Пер. с англ. – М.: Мир, 1982. – 664 с.
13 Tranquada J. M. (2019) Empirical case for two pseudogaps in cuprate superconductors. arXiv:1904.10473v1 [cond-mat.supr-con]
14 Boschini F. et al. (2020) Emergence of pseudogap from short-range spincorrelations in electron-doped cuprates. NPJ Quantum Materials 5(6) (7 p.). https://doi.org/10.1038/s41535-020-0208-6
15 .Mukhopadhyay S. et al. (2019) Evidence for a vestigial nematic state in the cuprate pseudogap phase. PNAS 116 (27) 13249–13254. DOI: 10.1073/pnas.1821454116
16 Tu Wei-Lin, Lee Ting-Kuo (2019) Evolution of Pairing Orders between Pseudogap and Superconducting Phases of Cuprate Superconductors. Scientific Reports 9, 1719-1731. https://doi.org/10.1038/s41598-018-38288-7
17 Pässler R. (1996) Comparison of different analytical descriptions of the temperature dependence of the indirect energy gap in silicon. Solid-State Electronics 39, 1311-1319
18 O’Donnell K.P. and Chen X. (1991) Temperature dependence of semiconductor band gaps. Appl. Phys. Lett.. 58 (25) 2924-2926.
19 Абдурахманов Г. Высокочастотный квазипотенциал в полупроводниковых диодных структурах Дисс. к.ф.-м.н. Ташкент, 1981
В ожидании