Измерены значения коэффициентов линейного поглощения гамма – излучения 60Со и 137Сs для тройных полупроводниковых аналогов (TlGaS2, TlInS2, TlGaSe2, TlInSe2) в зависимости от угла φ между плоскостями скола и направлением излучения. При углах φ = 90о значения μ превышающих их для углов φ = 0о приблизительно на 20 – 40%..
γ – absorption anisotropy is proved experimentally in А IIIВ IIIC VI 2 type layered semiconductors and their complex analogues, which appears to be due to reticular (nuclear) density differences in different crystallographic directions. Linear 60Со and 137Сs gamma – absorption coefficients are measured for their triple ternary (TlGaS2, TlInS2, TlGaSe2, TlInSe2) analogues in relation to φ angle between planes and radiation direction μ values at φ = 90o prevail over those at φ = 0 o by about 20 – 40%.
| № | Имя автора | Должность | Наименование организации |
|---|---|---|---|
| 1 | Umarov S.. | ||
| 2 | Kerimova E.. | ||
| 3 | Ashurov J.. | ||
| 4 | Khodjayev U.. |
| № | Название ссылки |
|---|---|
| 1 | Roentgen V.K. Bestimmung der Kristallstruktur des NaCl. // Acad.Wiss. math. Phys. 1907. v. 37. P. 113. |
| 2 | Feuerstenau R. Photoelectric properities of some solidis. // Phys. Z. 1915. v. 16, P. 274. |
| 3 | Gusejjnov G. D., Akopjan R. A., Zhuravljov V. M. Abdullaeva S. G., Osipova L. N. Vzaimodejjstvie rentgen - i gamma - izluchenija so sloistymi kristallami InSe - GaSe. Ehlektronnaja tekhnika. Nauchno - tekhn. sb. Materialy, 1982, vyp. 9(170), s.43. |
| 4 | Akopjan R. A., Zhuravljov V. M. Vozdejjstvie rentgenovskogo izluchenija na monokristally monoselenidov gallija i indija. - Izv. An SSSR. Neorgan. Materialy, 1983, t.19, №6, s.913. |
| 5 | Golubev B. P. Dozimetrija i zashhita ot ionizirujushhikh izluchenijj. - M.: Gosehnergoizdat, 1963, s.335. |