Приведены теоретические результаты исследование и компьютерного моделирования гетеро составных транзисторов. Показано, что гетеро составные транзисторы устойчиво работают при значениях напряжения коллектор-эмиттер в пять раз более высоких, чем в случае отдельно взятых транзисторов. Предложенные гетеро составные транзисторы предназначены для работы в оконечных каскадах усилителей мощности.

The theoretical results of research and computer simulation of heterocomposite transistors are presented. It is shown that hetero-composite transistors operate stably at collector-emitter voltages five times higher than in the case of individual transistors. The proposed hetero composite transistors are designed to work in the final stages of power amplifiers.