313

  • Название журнала
  • Номер выпуска
  • Количество просмотров 313
  • Ссылка в интернете
  • DOIdoi.org/10.47100/conference_physics/S2_33
  • Дата создание в систему UzSCI 21-08-2020
  • Количество прочтений 219
  • Дата публикации
  • Язык статьиO'zbek
  • Страницы200-204
Ключевые слова
Русский

Впервые изучены степень разупорядоченности и толщина разупорядоченных слоев d и их влияние на ширину запрещенной зоны монокристаллического Si (111) при бомбардировке ионами Ar+ . Показано, что значение d при энергии ионов Е0 = 1 кэВ и 2 кэВ составляет ~ 100 – 120 Å и 150 – 160 Å соответственно. При этом плотности состояния электронов валентной зоны Si (111) существенно изменяются, уменьшается коэффициент пропускания света К до 55 – 60 %, а значение Еg – увеличивается на ~ 10 %

№ Имя автора Должность Наименование организации
1 Tashmukhamedova D..
2 Yusupjonova M..
№ Название ссылки
1 Z.A. Isakhanov, Z.E. Mukhtarov, B.E. Umirzakov, M.K. Ruzibaeva. Technical Physics, 56(4), 546 (2011).
2 S.B. Donaev, F. Djurabekova, D.A. Tashmukhamedova, B.E. Umirzakov. Physica Status Solidi (C), 12(1-2), 89 (2015). DOI 10.1002/pssc.201400156
3 B.E. Umirzakov, D.A. Tashmukhamedova, M.K. Ruzibaeva, F.G. Djurabekova, S.B. Danaev. NIMB, 326, 322 (2014).
4 B.E. Umirzakov, D.A. Tashmukhamedova, G.K. Allayarova, Z.S. Sodikzhanov. Technical Physics Letters, 45(4), 356 (2019).
В ожидании