302

Впервые разработана математическая модель определения влияния сверхвысокочастотного (СВЧ) электромагнитного поля на температурную зависимость осцилляции Шубникова-де Гааза в узкозонных полупроводниках. На основании предложенной математической модели с использованием экспериментальных результатов выведены осцилляции поглощение микроволнового излучения в полупроводниковых структурах при высоких температурах.

  • Название журнала
  • Номер выпуска
  • Количество просмотров 302
  • Ссылка в интернете
  • DOI
  • Дата создание в систему UzSCI 21-08-2020
  • Количество прочтений 186
  • Дата публикации
  • Язык статьиRus
  • Страницы274-278
Русский

Впервые разработана математическая модель определения влияния сверхвысокочастотного (СВЧ) электромагнитного поля на температурную зависимость осцилляции Шубникова-де Гааза в узкозонных полупроводниках. На основании предложенной математической модели с использованием экспериментальных результатов выведены осцилляции поглощение микроволнового излучения в полупроводниковых структурах при высоких температурах.

English

For the first time, a mathematical model has been developed to determine the influence of a extreme high frequency electromagnetic field on the temperature dependence of the Shubnikov-de Haas oscillations in narrow-gap semiconductors. Based on the proposed mathematical model and using experimental results, oscillations of the absorption of microwave radiation in semiconductor structures at high temperatures are found.

№ Имя автора Должность Наименование организации
1 Mirzayev J.U.
2 Gulyamov G..
3 Erkaboyev U..
№ Название ссылки
1 Alhun Aydin, Altug Sisman. Physics letters A. 382, 1807 (2018).
2 G.Gulyamov, U.I.Erkaboev, N.Yu.Sharibaev, A.G.Gulyamov. Semiconductors. 53(3), 375(2019).
3 N.T.Bagraev, V.Yu.Grigoryev, L.E.Klyachkin, A.M.Malyarenko, V.A.Mashkov, V.V.Romanov, N.I.Rul`. Low temperature physics. 43(1), 132(2017).
4 Kazuma Eto, Zhi Ren, Taskin A.A, Kouji Segawa, Yoichi Ando. Physical Review В. 81(19), 5309(2010).
5 A.I.Veinger, I.V.Kochman, V.I.Okulov, M.D.Andriichuk, L.D.Paranchich Semiconductors. 52(8), 980(2018).
6 F.Bass, V.S.Bochkov, Yu.G.Gurevich. Electrons and phonons in limited semiconductors. Moscow, “Science”. 1984 y. 250 P.
7 И.М.Цидилковский. Электроны и дырки в полупроводниках. М., «Наука», 1972, с. 447.
8 G.Gulyamov, U.I.Erkaboev, N.Yu.Sharibaev. Modern physics letters B. 30(7), 1650077(2016).
9 U.I.Erkaboev, G.Gulyamov, J.I.Mirzaev and R.G.Rakhimov. International Journal of Modern Physics B. 34(7), 2050052(2020).)
10 G.Gulyamov, U.I.Erkaboev, N.Yu.Sharibaev. Semiconductors. 48(10), 1323(2014).
В ожидании