Исследован изохронный отжиг радиационных дефектов, возникающих во время облучения МДП-структур -квантами со смещением на металлическом электроде и обнаружено, что встроенный заряд и объемные состояния диэлектрика отжигаются при 250оС, поверхностные состояния - при 350оС, а характерный радиационный дефект в переходном слое Si-SiO2 полностью отжигается только при 400оС.
Исследован изохронный отжиг радиационных дефектов, возникающих во время облучения МДП-структур -квантами со смещением на металлическом электроде и обнаружено, что встроенный заряд и объемные состояния диэлектрика отжигаются при 250оС, поверхностные состояния - при 350оС, а характерный радиационный дефект в переходном слое Si-SiO2 полностью отжигается только при 400оС.
The isochronous annealing of radiation defects, that occur during irradiation of MIS structures by - quanta with displacement on a metal electrode was investigated. it was found that the built-in charge and bulk states of the dielectric are annealed at 250oC, surface states – at 350oC, and the characteristic radiation defects in the Si-SiO2 transition layer is fully annealed only at 400oC
| № | Имя автора | Должность | Наименование организации |
|---|---|---|---|
| 1 | Daliev K.S. | ||
| 2 | Khusanov Z.. | ||
| 3 | Allayarov A.. | ||
| 4 | Erugliyev U.. |
| № | Название ссылки |
|---|---|
| 1 | Nicollian E.N., Brews J.R. MOS Physics and Technology. Wiley, N.Y.,1982, 906 c. |
| 2 | Smagulova S.A., Antonova I.V., Neustroev E.P., Skuratov V.A., Relaksaciya defektnoj podsistemy kremniya, modificirovannoj oblucheniem tyazhelyh ionov vysokih `energij, FTP, 2003, t.37, v.5, 565-569. |
| 3 | Badylevich M.V., Blohin I.V., Golovin Yu.I.i dr. Nemonotonnye izmeneniya koncentracii radiacionnyh defektov donornogo i akceptornogo tipov v kremnii, induciruemye potokami _b-chastic maloj intensivnosti. FTP, 2006, T. 40, v.12 , S.1409-1411. |
| 4 | Krasnikov G.Ya. Konstruktivno-tehnologicheskie osobennosti submik-ronnyh MOP-tranzistorov. - M.: Tehnosfera. 2004. ch.2. 536 s. |