Предложено оригинальное техническое решение, позволяющее управлять фундаментальными параметрами кремния путем формирования бинарных элементарных ячеек Si2A IIIB V . Показано, что кремний с бинарными нанокластерами является новым полупроводниковым материалом с уникальными функциональными возможностями позволяющим полностью заменить полупроводниковые соединения AIIIB V .
Предложено оригинальное техническое решение, позволяющее управлять фундаментальными параметрами кремния путем формирования бинарных элементарных ячеек Si2A IIIB V . Показано, что кремний с бинарными нанокластерами является новым полупроводниковым материалом с уникальными функциональными возможностями позволяющим полностью заменить полупроводниковые соединения AIIIB V .
The original technical solution is proposed that allows control the fundamental parameters of silicon by forming binary unit cells Si2A IIIB V . It is shown that the silicon with binary nanoclusters is a new semiconductor material with unique functional capabilities that allows completely replacing III – V semiconductor compounds.
| № | Имя автора | Должность | Наименование организации |
|---|---|---|---|
| 1 | Baxadirxanov M.K. | ||
| 2 | Isamov S.B. | ||
| 3 | Kenjayev Z.T. |
| № | Название ссылки |
|---|---|
| 1 | Leenson I.A. Himicheskie `elementy v infografike - Moskva: Izdatel'stvo AST, 2016. - 224 s. |
| 2 | Bakhadyrhanov M.K., Sodikov U.X., Iliev Kh.M., Tachilin S.A., Tuerdi Wumaier. Perspective Material for Photoenergetics on the Basis of Silicon with Binary Elementary Cells // Materials Physics and Chemistry (2019), Volume 1 doi:10.63019/mpc.v1i2.493, pp. 89-95 |
| 3 | Bakhadirkhanov M.K., Isamov S.B., Melibaev D. Control of the fundamental parameters of silicon - production of a new class of semiconductor materials based on silicon / «Nauka, tehnika i innovacionnye tehnologii v `epohu moguschestva i schast'ya», Materialy Mezhdunarodnoj nauchnoj konferencii, 12-13 iyunya 2019 g. Ashhabad, S. 20-22. |