303

Приведены результаты исследований фотоэлектрического инжекционного усиление структуры Al-Al2O3–p-CdTe-Mo при подаче больших напряжений смещения в прямом направлении тока. Показано, что спектральная чувствительность достигает наибольшего значения Sλ=8.4∙104 А/Вт при освещении “собственным” светом с λ=450 нм и при V=7 B. Установлено, что при освещении структуру “собственным” светом реализуется механизм усиления положительной обратной связи (ПОС).

  • Название журнала
  • Номер выпуска
  • Количество просмотров 303
  • Ссылка в интернете
  • DOI
  • Дата создание в систему UzSCI 20-08-2020
  • Количество прочтений 178
  • Дата публикации
  • Язык статьиRus
  • Страницы67-74
Русский

Приведены результаты исследований фотоэлектрического инжекционного усиление структуры Al-Al2O3–p-CdTe-Mo при подаче больших напряжений смещения в прямом направлении тока. Показано, что спектральная чувствительность достигает наибольшего значения Sλ=8.4∙104 А/Вт при освещении “собственным” светом с λ=450 нм и при V=7 B. Установлено, что при освещении структуру “собственным” светом реализуется механизм усиления положительной обратной связи (ПОС).

English

The results of studies of the photoelectric injection amplification of the Al-Al2O3–p-CdTe-Mo structure with high bias voltages in the forward direction of the current are presented. It has been shown that the spectral sensitivity reaches its maximum value Sλ = 8.4∙104 A/W when illuminated with "own" light with λ = 450 nm and at U = 7 V. It is established that when illuminating the structure with “own” light, a positive feedback amplification (PFA) mechanism is realized.

№ Имя автора Должность Наименование организации
1 Uteniyazov A.K.
2 Ismailov K.A.
3 Nsanbaev M..
4 Ysenbaeva E..
№ Название ссылки
1 I.M. Vikulin, Sh.D. Kurmashev, V.I. Stafeev. “Injection-Based Photodetectors // Physics of semiconductor devis, vol.42, no. 1, pp. 113-127, 2008.
2 V.I. Stafeev. “ Fotopriyemniki IK diapazona na osnove CdxHg1-xTe, na primesnykh poluprovodnikakh (Ge i Si) i UF diapazona na osnove soyedineniy A2B5, 35 let raboty v NII prikladnoy fiziki (1970-2005)”[ CdxHg1-xTe based IR photodetectors on impurity semiconductors (Ge and Si) and the UV range based on compounds A2B5, 35 years of work at the Research Institute of Applied Physics (1970- 2005)]. Moscow: Orion, 2008.
3 V.I. Stafeev. “Elektronnyye pribory na osnove poluizolyatorov” [Electronic devices based on semi-insulators]. // Technology and design in electronic equipment, No. 5, p. 3-13, 2007
4 A.K.Uteniyazov. Photoelectric injection enhancement of the Al-Al2O3-pCdTe-Mo - structure when applying small bias voltages. International Scientific and Practical Conference “Solar Energy: Priority Sciences and Development Trends”, Tashkent-2019.
5 A.Yu. Leyderman, M.K. Minbaeva. “Mekhanizm bystrogo rosta pryamogo toka v poluprovodnikovykh diodnykh strukturakh” [Direct rapid growth mechanism current in semiconductor diode structures]. // Physics of semiconductor devis, vol.30, no. 11, pp. 1729-1738, 1996.
В ожидании