207

  • Ссылка в интернете
  • DOI
  • Дата создание в систему UzSCI 18-10-2019
  • Количество прочтений 172
  • Дата публикации 19-04-2018
  • Язык статьиO'zbek
  • Страницы51-56
Ключевые слова
Русский

В статье рассматривается разработка технологии диффузионного легирования для про-изводства нового поколения кремниевых фотоэлементов. Приведена методика низкотемпе-ратурного диффузионного легирования кремния никелем, являющимся модельным металлом с высокой степенью спиновой поляризации электронов проводимости и получения полупровод-ника с заданными параметрами. Показана повышенная эффективность преобразования энер-гии по сравнению с существующими промышленными фотоэлементами. Предложен новый метод диффузии, осуществляемый поэтапно путем постепенного повышения температуры, начиная с комнатной до температуры диффузии. Установлено, что в кремнии, легированным никелем по технологии многоэтапной диффузии и после дополнительного низкотемператур-ного отжига, происходит самоорганизация кластеров примесных атомов никеля в решетке кремния. Управляя температурой дополнительного отжига, можно в широком интервале из-менять размеры кластеров, их распределение по объему, а также их концентрацию.

№ Имя автора Должность Наименование организации
1 Zikrillaev N.F. professor TDTU
2 Saitov E.B. katta o'qituvchi TDTU
№ Название ссылки
1 Litovchenko V.G., Popov V.G., Svechnikov S.V. Solnechnыe fotoelementi na osnove amorfnogo kremniya // Optoelektronika i poluprovodnikovaya texnika. – 1983 g.№ 3, S. 3 – 12.
2 Nanotexnologii v elektronike. Pod redaksiey chlena-korrespondenta RAN Yu.A.Chaplыgina. Moskva: Texnosfera - 2005 g. S. 65-66.
3 Baxadirxanov M.K., Ayupov K.S., Iliev X.M., Mavlonov G.X., Sattarov O.E. Vliyanie elektricheskogo polya, osveshennosti i temperaturi na otritsatelnoe magnetosoprotivlenie kremniya, legirovannogo po metodu nizkotemperaturnoy diffuzii. // FTP, 2011. S. 59-62.
4 Abdurakhmanov B.A., Bakhadirkhanov M.K., Saitov E.B and other// Formation of Clusters of Impurity Atoms of Nickel in Silicon and Controlling Their Parameters Nanoscience and Nanotechnology, 2014 years, Vol. 4 No. 2. PP. 29-32.
5 Abdurakhmanov B.A., Bakhadirkhanov M.K., Iliyev H. M., Saitov E.B and other// Silicon with Clusters of Impurity Atoms as a Novel Material for Photovoltaic// Nanoscience and Nanotechnology, 2014 years, Vol. 4 No. 3. PP. 36-39.
В ожидании