160

  • Название журнала
  • Номер выпуска
  • Количество просмотров 160
  • Ссылка в интернете
  • DOI
  • Дата создание в систему UzSCI 21-08-2020
  • Количество прочтений 54
  • Дата публикации
  • Язык статьиO'zbek
  • Страницы162-166
Ключевые слова
Русский

В данной работе приводится изучение свойств сильнокомпенсированного кремния, легированного примесями с глубоким энергетическим уровнем с различной природой. Результаты доказывают что, в образцах сильнокомпенсированного кремния легированного примесями в отличие от собственного полупроводника наблюдается большая фотопроводимость, магнитосопротивление и термочувствительность.

English

The paper presents the results of study of properties of strongly compensated silicon doped with impurities that create deep levels of various nature. The results show that in strongly compensated silicon samples doped with impurities in contrast to intrinsic semiconductors, huge photosensitivity, magnetic resistance and thermal sensitivity are observed.

Имя автора Должность Наименование организации
1 Mavlonov G..
2 Ayupov K..
3 Valiyev S..
4 Shergoziyev S..
Название ссылки
1 Бахадырханов М.К., Ортиков И.Б. Малый энциклопедический справочник по полупроводниковым материалам. Ташкент. 2009. 200 с.
2 Bakhadyrkhanov M.K., Isamov S.B. Iliev Kh. M., Tachilin S. A., and Kamalov K. U.. Siliconn Based Photocells of Enhanced Spectral Sensitivity with NanooSized Graded Band Gap Structures // Applied Solar Energy. 2014. V. 50, No. 2, pp. 61-63.
3 Bakhadyrkhanov M.K., Iliyev Kh.M., Mavlonov G.Kh., K. S. Ayupov, S. B. Isamov, and S. A. Tachilin. Silicon with Magnetic Nanoclusters of Manganese Atoms as a New Ferromagnetic Material // Technical Physics, 2019, Vol. 64, No. 3, pp. 385– 388.
4 Prischepa S.L., Komissarov I.V. Electrical conductivity and magnetoresistance in twisted graphene electrochemically decorated with Co particles // Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures 2020., Vol. 117., 10.1016/j.physe.2019.113790.
В ожидании