345

Представлены экспериментальные исследования фотоэлектрических свойств кремния с нанокластерами атомов марганца и полученных оригинальных результатов позволяющих создать высокочувствительные ИК- фотоприемники на основе кремния для области =1÷8 мкм. Разработанные фотоприемники на основе кремния с нанокластерами атомов марганца обеспечивают квантовую эффективность QE порядка 80%.

  • Название журнала
  • Номер выпуска
  • Количество просмотров 345
  • Ссылка в интернете
  • DOI
  • Дата создание в систему UzSCI 22-08-2020
  • Количество прочтений 250
  • Дата публикации
  • Язык статьиRus
  • Страницы167-172
Русский

Представлены экспериментальные исследования фотоэлектрических свойств кремния с нанокластерами атомов марганца и полученных оригинальных результатов позволяющих создать высокочувствительные ИК- фотоприемники на основе кремния для области =1÷8 мкм. Разработанные фотоприемники на основе кремния с нанокластерами атомов марганца обеспечивают квантовую эффективность QE порядка 80%.

English

Experimental studies of the photovoltaic properties of silicon with nanoclusters of manganese atoms and the original results obtained allow us to create highly sensitive IR photodetectors based on silicon for the region =1÷8 microns are presented. The developed silicon-based photodetectors with nanoclusters of manganese atoms provide a quantum QE efficiency of about 80%.

№ Имя автора Должность Наименование организации
1 Tachilin S.A.
2 Zikrillayev N..
3 Ibodullayev S.N.
№ Название ссылки
1 Filachjov A.M., Taubkin I.I., Trishenkov M.A.Fotopriemniki v optikojelektronnyh priborah i sistemah. 2016
2 Baranochnikov M.L. Spravochnik Priemniki infrakrasnogo izluchenija. Moskva, 1985.
3 Varavin V.S., Vasil'ev V.V. i dr. Geterostruktury CdHgTe dlja novogo pokolenija IK fotopriemnikov, rabotajushhih pri povyshennyh temperaturah. FTP, 2016, tom 50. №12, s 396-412
4 Lunin L.S., Lunina M.L., Pashhenko A.S., . Alfimova D.L, Pashhenko O.S. Geterostruktury GaxIni_xAsyBizSbi_y_z/InSb dlja fotopriemnyh ustrojstv ( =6 – 12 mkm.). PZhTF, 2019, tom 45. №16, s 29-27.
5 Ajzenshtat G.I., Lelekov M.L., Tolbanov O.P. Dinamika formirovanija fotootveta v detektornoj strukture iz arsenida gallija. FTP, 2008, tom 42. №4, s 451- 456.
6 Andronov A.A., Zaharov N.G., Marugin A.V., Savikin A.P. Novye istochniki i priemniki IK i teragercovogo diapazona. Nizhnij Novgorod. 2007. s. 98.
7 Rumjancev K.E., Sukovatyj A.N., Hajdarov I.E. Sposob detektorov dlja izmerenija potoka nejtronov. Patent: 2190196; Nomer zajavki: 2001103830/28.
8 Bahadyrhanov M.K., Boltaks B.I., Kulikov G. S. Diffuzija, jelektroperenos i rastvorimost' pri¬mesi marganca v kremnii. FTT.1972. T. 14. s. 1671-1676
9 Abdurahmanov B.A., Ajupov K.S., Bahadyrhanov M.K., Iliev H.M., Bobonov D.T., Zikrillaev N.F., Saparnijazova Z.M., Toshev A. Nizkotemperaturnaja diffuzija primesej v kremnii. DAN RUz. (2010) №4. s. 32-36.
В ожидании