299

В статье приводятся результаты исследований пленок твердого раствора ZnXSn1-ХSe, полученных методом химического молекулярно пучкового осаждения. Были изучены их электрические свойства. Приведены зависимости μ(х) для пленок ZnxSn1-xSe. Характерным для всех типов твердых растворов является монотонный спад значение μ, n с ростом молярного содержания широкозонной компоненты

  • Название журнала
  • Номер выпуска
  • Количество просмотров 299
  • Ссылка в интернете
  • DOI
  • Дата создание в систему UzSCI 22-08-2020
  • Количество прочтений 210
  • Дата публикации
  • Язык статьиRus
  • Страницы191-194
Русский

В статье приводятся результаты исследований пленок твердого раствора ZnXSn1-ХSe, полученных методом химического молекулярно пучкового осаждения. Были изучены их электрические свойства. Приведены зависимости μ(х) для пленок ZnxSn1-xSe. Характерным для всех типов твердых растворов является монотонный спад значение μ, n с ростом молярного содержания широкозонной компоненты

English

The article presents the results of studies of ZnXSn1-XSe films obtained by chemical molecular beam deposition. Their electrical properties were studied. The μ(x) dependences for ZnxSn1-xSe films are presented. Characteristics of all types of film is the monotonic decrease in μ (Hall mobility), n (carrier concentration) with increasing molar content of the wide-gap component.

№ Имя автора Должность Наименование организации
1 Razykov T.M.
2 Yuldoshov R.T.
3 Kuchkarov K.M.
№ Название ссылки
1 Kumar V., Anita Sinha, et al. Concentration and temperature dependence of the energy gap in some binary and alloy semiconductors // Infrared Physics & Technology 69 2015. 222–227pp.
2 Vasudeva Reddy, Minnam Reddy, Sreedevi Gedietal. Perspectives on SnSebased thin film solar cells: a comprehensive review. Journal of Materials Science: Materials in Electronics June 2016, Volume 27, Issue 6, 5491-5508 pp.
3 Mitsutaro Umehara, Yasuhiko Takeda, Shin Tajima at.al. Improvement of red light response of Cu2Sn1-xGexS3 solar cells by optimization of CdS buffer layers. Journal of applied physics 118, 2015.
В ожидании