Яримўтказгичли материалларнинг асосий элементи ҳисобланган кремнийга Менделеев жадвалининг II ва VI гуруҳ элементларини диффузия қилиш технологияси ёрдамида янги бинар бирикмали материалларни ҳосил қилиш асосий вазифамиз ҳисобланади.Бунда кремний материалининг электрофизик ва фотоволтаик хусусиятларини тубдан ўзгартириб юбориш мумкин.Таклиф этилаётган технология тажриба жараёнида қониқарли жавоб бериши аниқланди
Яримўтказгичли материалларнинг асосий элементи ҳисобланган кремнийга Менделеев жадвалининг II ва VI гуруҳ элементларини диффузия қилиш технологияси ёрдамида янги бинар бирикмали материалларни ҳосил қилиш асосий вазифамиз ҳисобланади.Бунда кремний материалининг электрофизик ва фотоволтаик хусусиятларини тубдан ўзгартириб юбориш мумкин.Таклиф этилаётган технология тажриба жараёнида қониқарли жавоб бериши аниқланди
It is our main task to create new binary compound materials using the technology of diffusion of elements of the Mendeleev table II and group VI to the silicon, which is considered the main element of semiconductor materials.It is possible to send a radical change in the electrophysical and photovoltaic properties of the silicon material.The proposed technology was determined to give a satisfactory response in the process of experimentation.
№ | Имя автора | Должность | Наименование организации |
---|---|---|---|
1 | Zikrillayev N.. | ||
2 | Tursunov O.B. |
№ | Название ссылки |
---|---|
1 | Bakhadirxanav M.G., Kobilin G.A., Equipment S.A. Physics I technology solnechnix elementov. Chapter 1 and 2 of the training manual. April, 2007.- It's 149b. |
2 | Akramov H., Zaynabiddinov K., Teshabayev A. Photoelectric phenomena in semiconductors. training manual. Uzbekistan, 1994. - 134 B. |
3 | Bakhodirkhanov M.G., Iliev X.M, Kholmatov A.A., Fundamentals of semiconductor physics textbook. - 2014. - 186 B |
4 | Teshabayev A.T., Zaynabbidinov S.Z., Ismailov K. A., Ermatov Sh.A., Abduovav V.A. Nanoparticles physics, chemistry and technology. Training manual. T.: Rainbow press, 2014. - 368 B. |