192

В обзоре рассмотрены последние достижения в создании новых термоэлектрических материалов с повышенной эффективностью, и показано, что основой этих достижений является снижение теплопроводности до значений, свойственных материалам с неупорядоченной или наноструктурой. С другой стороны, эти достижения показывают, что нет каких-либо принципиальных ограничений КПД термоэлектрических устройств, кроме формулы Карно.

  • Название журнала
  • Номер выпуска
  • Количество просмотров 192
  • Ссылка в интернете
  • DOI
  • Дата создание в систему UzSCI 22-08-2020
  • Количество прочтений 89
  • Дата публикации
  • Язык статьиRus
  • Страницы256-262
Русский

В обзоре рассмотрены последние достижения в создании новых термоэлектрических материалов с повышенной эффективностью, и показано, что основой этих достижений является снижение теплопроводности до значений, свойственных материалам с неупорядоченной или наноструктурой. С другой стороны, эти достижения показывают, что нет каких-либо принципиальных ограничений КПД термоэлектрических устройств, кроме формулы Карно.

English

Recent achievements in developing of thermoelectric materials of higher efficiency are reviewed. It is shown that these achievements are based on decreasing of thermal conductivity down to values typical for materials having disordered or nanoscale structure. On the other hand these achievements demonstrate that there is no any principal limit for efficiency of thermoelectric devices beyond the Carnot formula.

Имя автора Должность Наименование организации
1 Abdurakhmanov G..
2 Mukimov K..
3 Esbergenova A..
4 Mamatqulova S..
Название ссылки
1 Farenbruh A., B'yub R. Solnechnye `elementy. Teoriya i `eksperiment. Per. s angl. M., `Energoatomizdat, 1987.
2 Ohotin A.S., Efremov A.A., Ohotin V.S., Pushkarskij A.S. Termo`elektricheskie generatory. M., Atomizdat, 1971.
3 Favorskij O. N. Ustanovki dlya neposredstvennogo preobrazovaniya teplovoj `energii v `elektricheskuyu. M., Vysshaya shkola, 1965.
4 Chiu P. et al. (2011) 42.3% Efficient InGaP/GaAs/InGaAs Concentrators using Bifacial Epigrowth. 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference “New World, Wafer Bonding, Gallium Arsenide” 19-24 June 2011, Seattle, USA. DOI: 10.1109/PVSC.2011.6186067.
5 Kasymahunova A.M., Nabiev M. (2003) Fototermo`elektricheskie preobrazovateli koncentrirovannogo izlucheniya. Pis'ma v ZhTF 29(6) 76-81
6 Slack G.A. (1995) New Materials and Performance Limits for Thermoelectric Coolers. In: CRC Handbook of Thermoelectrics / Ed. D. M. Rowe. - Boca Raton: CRC Press Chemical Rubber, 1995. p. 407.
7 Heremans J.P. et al. (2008) Enhancement of Thermoelectric Efficiency in PbTe by Distortion of the Electronic Density of States. Science 321, 554-557. DOI: 10.1126/science.1159725.
8 Keiber T., Bridges F., Sales B.C., and Wang H. (2013) Complex role for thallium in PbTe:Tl from local probe studies. Physical Review B 87, 144104. DOI: 10.1103/PhysRevB.87.144104.
9 Himicheskaya `enciklopediya. V 5 tomah, t. 4. Izd-vo Bol'shaya Rossijskaya `enciklopediya, 1995.
10 Ghodke S. et al. (2019) Distinctive Thermoelectric Properties of Supersaturated Si-Ge-P Compounds: Achieving Figure of Merit ZT > 3.6. https://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/1909/1909.12476.pdf.
11 Hinterleitner B. et al. (2019) Thermoelectric performance of a metastable thinfilm Heusler alloy. Nature 576, 85–90. https://doi.org/10.1038/s41586-019-1751-9.
12 Lewis, N. et al. (2005) Basic Research Needs for Solar Energy Utilization. (DOE Office of Science, 2005); http://www.er.doe.gov/bes/reports/abstracts.html
13 Abdurakhmanov G. (2018) Some problems of physics of the thermoelectric phenomena. Uzbek J. Physics 20 (1) 1-8.
В ожидании