В работе приведены результаты исследования зависимости величины магнетосопротивления GaMnAs, от ориентации внешнего магнитного поля. Получены температурные зависимости анизотропного магнетосопротивления, показывающие, что в исследованном интервале температур ось легкого намагничивания лежит в плоскости эпитаксиального слоя.
В работе приведены результаты исследования зависимости величины магнетосопротивления GaMnAs, от ориентации внешнего магнитного поля. Получены температурные зависимости анизотропного магнетосопротивления, показывающие, что в исследованном интервале температур ось легкого намагничивания лежит в плоскости эпитаксиального слоя.
Results of the studies of GaMnAs magnetoresistance dependence on the external magnetic field orientation have been presented. Temperature dependences of the anisotropic magnetoresistance shows that in the investigated temperature range the easy axis lies in the plane of epitaxial layer
| № | Имя автора | Должность | Наименование организации |
|---|---|---|---|
| 1 | Parchinskiy P.. | ||
| 2 | Gazizulina A.S. |
| № | Название ссылки |
|---|---|
| 1 | T. Hayashi, Y. Hashimoto, S. Katsumoto, Y. Iye, Appl. Phys. Lett. 2001. V78. P. 1691 |
| 2 | P.B. Parchinskij, A.S. Galashina, Dojin Kim, UFZh, 2017, Vol. 19(№3), 143- 147 |
| 3 | Baxter D.V., Ruzmetov D., Scherschligt J., Sasaki Y., Liu X., Furdyna J., Mielke C.H., Phys. Rev. B. 2004, 65, №21, 212407. |
| 4 | P.B. Parchinskiy, F.C. Yu, P.V. Chandra Sekar, D.J. Kim, JMMM, 2009, 321, №7, 709 |
| 5 | K.Y Wang, K.W Edmonds, R.P Campion, L.X. Zhao, C.T. Foxon, B.L. Gallagher, Phys. Rev. B. 2005, 72, №8, 085201 |