КРЕМНИЙ АСОСЛИ ҚУЁШ ЭЛЕМЕНТЛАРИГА ГАММА РАДИАЦИЯНИНГ ТАЪСИРИ

Nosirov  Murodjon; Gulomov Jasurbek; Madaminova Iroda; Aliev Raimjon

251

Ушбу мақолада кремний асосли қуёш элементларида заряд ташувчиларининг кинетик характеристикалари ва волт-ампер характеристикасига гамма радиациянинг таъсирини назарий таҳлили ҳамда янги миллий рақамли технологик платформада олинган натижалар келтирилган

Название журнала
Номер выпуска
Количество просмотров 251

Ссылка в интернете

DOI

Дата создание в систему UzSCI 12-10-2020

Количество прочтений 163

Дата публикации

Язык статьиO'zbek

Страницы179-184

Ключевые слова

моделлаштириш

қуёш элементи

кремний

диффузион узунлик

гамма радиация

Ўзбек

Ушбу мақолада кремний асосли қуёш элементларида заряд ташувчиларининг кинетик характеристикалари ва волт-ампер характеристикасига гамма радиациянинг таъсирини назарий таҳлили ҳамда янги миллий рақамли технологик платформада олинган натижалар келтирилган

Ключевые слова

моделлаштириш

қуёш элементи

кремний

диффузион узунлик

гамма радиация

English

In this article, describes theoretical analyzing of gamma radiation influence kinetic characteristics of carriers in silicon bases solar cell and its I-V charactersitics also give results that is taken by new digital technological platform.

Ключевые слова

modeling

solar cell

silicon

diffusion length

gamma radiation

№ Имя автора Должность Наименование организации

1 Nosirov M..

2 Gulomov J..

3 Madaminova I..

4 Aliev R..

№ Название ссылки

1 F.H.ATTIX,Dosimetry by Solid State Devices, NRL Report 5777, June 15, 1962.

2 J. Barth, “Modeling Space Radiation Environment”, 1997 IEEE NSREC Short Course.

3 M. A. Green, K. Emery, Y. Hishikawa, W. Warta, and E. D. Dunlop, “Solar cell efficiency tables (version 39),” Progress in Photovoltaics: Research and Applications, vol. 20, no. 1, pp. 12–20, Jan. 2012.

4 J.N. Shive, “Semiconductor Devices”, Van Nostrand, 1959

5 A. L. Fahrenbruch and R. H. Bube. “Foundamentals of Solar Cells”. Academic Press, New York, 1983.

6 S. Witzack, R.D. Schrimpf, K.F. Galloway, D.M. Fleetwood, R.L. Pease, J.M. Puhl, D.M. Schmidt, W.E. Combs and J.S. Suehle, “Accelerated tests for simulating low dose rate gain degradation of lateral and substrate PNP bipolar junction transistors”, IEEE Trans. Nucl. Sci. , NS-43, 6, 3151 (1996).

7 V.A.J. Van Lint, T.M. Flanagan, R.E. Leadon, J.A. Naber and V.C. Rodgers, “Mechanisms of radiation effects in electronic materials”, Vol 1, John Wiley, NewYork (1980)

В ожидании

№	Название ссылки
1	F.H.ATTIX,Dosimetry by Solid State Devices, NRL Report 5777, June 15, 1962.
2	J. Barth, “Modeling Space Radiation Environment”, 1997 IEEE NSREC Short Course.
3	M. A. Green, K. Emery, Y. Hishikawa, W. Warta, and E. D. Dunlop, “Solar cell efficiency tables (version 39),” Progress in Photovoltaics: Research and Applications, vol. 20, no. 1, pp. 12–20, Jan. 2012.
4	J.N. Shive, “Semiconductor Devices”, Van Nostrand, 1959
5	A. L. Fahrenbruch and R. H. Bube. “Foundamentals of Solar Cells”. Academic Press, New York, 1983.
6	S. Witzack, R.D. Schrimpf, K.F. Galloway, D.M. Fleetwood, R.L. Pease, J.M. Puhl, D.M. Schmidt, W.E. Combs and J.S. Suehle, “Accelerated tests for simulating low dose rate gain degradation of lateral and substrate PNP bipolar junction transistors”, IEEE Trans. Nucl. Sci. , NS-43, 6, 3151 (1996).
7	V.A.J. Van Lint, T.M. Flanagan, R.E. Leadon, J.A. Naber and V.C. Rodgers, “Mechanisms of radiation effects in electronic materials”, Vol 1, John Wiley, NewYork (1980)