РЕЛАКСАЦИОННАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЕМКОСТИ ТРЕХСЛОЙНОЙ СТРУКТУРЫ В ПРОЦЕССЕ ФОРМИРОВАНИЯ ЗАРЯДА ИНВЕРСИОННОГО СЛОЯ.

Исследовано  влияние  ультразвукового  воздействия  на  плотность 
электронных  состояний,  локализованных  на  межфазной  границе  раздела  Si-стекло. 
Предложена методика определения величин скорости поверхностной и объемной генерации 
носителей  заряда,  используя  расчётную  временную  зависимость  ширины  области 
пространственного  заряда  (ОПЗ)  при  сравнении  её  с  экспериментальной  зависимостью.    
Ультразвуковая обработка структур Al-n-Si – стекло – Al, частотой 2,5мГц мощностью 
0,5  Вт,  в  течение  40  минут  приводит  к  уменьшению  скорости  формирования  заряда 
инверсионного  слоя.  Это  обусловлено  уменьшением  интегральной  плотности 
электронных  состояний,  локализованных  на  межфазной  границе  раздела  полупроводник-
стекло  и  не  влияет  на  энергетический  спектр  объемных  электронных  состояний  в 
полупроводнике.

The effect of ultrasonic action on  the density of electronic states  localized at  the 
Si-glass  interface  is  studied.  A  method  is  proposed  for  determining  the  surface  and  volume 
generation rates of charge carriers using the calculated time dependence of the space charge region 
width (SCR) when comparing it with the experimental dependence. Ultrasonic treatment of Al-n-Si 
- glass - Al structures with a frequency of 2.5 MHz and a power of 0.5 W for 40 minutes leads to a 
decrease  in  the  rate  of  charge  formation  of  the  inversion  layer.  This  is  due  to  a  decrease  in  the 
integral density of electronic states localized at the semiconductor-glass interface and does not affect 
the energy spectrum of bulk electronic states in a semiconductor.  

Кремний-шиша  бўлинма  фазалар  чегарасида  локаллашган  электрон 
ҳолатлари    зичлигига  ультратовуш  таъсири  тадқиқ  этилган.  Металл-диэлектрик-
яримўтказгич  структураларда  сиғим релаксацияси орқали назарий ҳисобланган. Фазавий 
заряд  соҳаси  кенглигининг  вақтга  боғланиши  орқали  ҳажмий  ва  сиртий  генерация 
тезликларини  аниқлаш  усули  ишлаб  чиқилган. Al-n-Si  – шиша  – Al  структураларга  2,5 
МГц  частотали,  0,5  Вт  қувватли  ультратовуш  билан  40  минут  давомида  берилган 
таъсир  яримўтказгич шиша  чегара  соҳасида  локаллашган  электрон  ҳолатлари  интеграл 
зичлигини  камайиши  ва  яримўтказгичдаги  ҳажмий  электрон  ҳолатлари  энергетик 
спектри ўзгармай қолиши аниқланган;