В статье на основе анализа принципа работы структур с баръером Шоттки на основе пористого кремния выделена перспективность их использования в оптоэлектронике и фотовольтаике. Предложена новая конструкция солнечного элемента с барьером Шоттки на основе кремния и других полупроводников.
Порали кремний асосидаги Шоттки барьерли структураларнинг ишлаш принципига асосланган ҳолда уларнинг оптоэлектроника ва фотовольтаикада қўллаш истиқболлари белгиланган. Кремний ва бошқа яримўтказгичли асосларга ва Шоттки барьерга эга бўлган қуёш фотоэлементларининг янги конструкцияси таклиф этилган.
В статье на основе анализа принципа работы структур с баръером Шоттки на основе пористого кремния выделена перспективность их использования в оптоэлектронике и фотовольтаике. Предложена новая конструкция солнечного элемента с барьером Шоттки на основе кремния и других полупроводников.
On the basis of analysis of the working principles f structures with Shottki barriers based on porous silicon this article studies the perspectives of their use in optoelectronic and photovoltaic systems.In this article on the basis of the analysis of a work principle of structures with Shottky barrier on
| № | Имя автора | Должность | Наименование организации |
|---|---|---|---|
| 1 | Karimov I.N. | ||
| 2 | Aliyev S.R. |
| № | Название ссылки |
|---|---|
| 1 | 1. P.C. Searcon, X.G. Zhang. J. Electrochem. Soc. v.137, p.2359 (1990). 2. Блынский В.И., Лазарук С.К., Малышев С.А., Мацкевич Т.П. Эффект усиления фототока в структу- рах Шоттки на пористом кремнии. // http://fep.tti.sfedu.ru/books/conferenc/pem2000/pape2/a077.pdf.html. 3. С.П. Зимин. ФТП, т. 34, в. 3, с. 359 (2000). 4. А.И.Лебедев. Физика полупроводниковых приборов.- М.: Физматлит, 2008. -488 с. 5. Н.Рахимов, О.К.Ушаков, Е.Ю.Кутенкова, С.Р.Алиев. Исследование МДП-структур и разработка оптоэлектронных приборов на их основе. // Научный вестник, 2011, №2, С. 14-17. |