Статья посвящена анализу процессов диффузии атомов 3d-элементов в кремнии. Приводятсяосновные диффузионнные параметры этих элементов, и на основе сравнительного анализа показаны закономерности соответствий между особенностями атомов и их диффузионными параметра-
ми. Даны качественные объяснения физических эффектов, наблюдаемых в легированном кремнии.
In this article discusses the problems of diffusion processes of 3d- elements in silicon and main diffusive parameters of these elements are given. On the basis of the comparative analysis regularities of rations between
features of atoms and their diffusive parameters are shown. Qualitative explanations to the physical effects observed in alloyed silicon are offered.
| № | Имя автора | Должность | Наименование организации |
|---|
| № | Название ссылки |
|---|---|
| 1 | 1.Дж.Маннинг. Кинетика диффузиии атомов в кристаллах.- М.: Мир, 1971 2.Дж.П.Старк. Диффузия в твердых телах.- М.: Энергия, 1980 3.Б.И.Болтакс. Диффузия в полупроводниках.- М.:Физ.мат ГИЗ, 1960 4.Т.Д.Шафаров. Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах.- Л.: Наука, 1978 5.М.К.Бахадирханов, Б.И.Болтакс и др. Компенсированный кремний.- Л.: Наука, 1972 6.С.Зайнабидинов. Физические основы образования глубоких уровней в кремнии.- Т.: Фан, 1984 |