Работа посвящена результатам исследования радиационных обработок барьеров Шоттки с микрорельефной границей раздела, исследованной с помощью атомно-силовой сканирующей микроскопии. Анализ ВАХ с помощью эквивалентной схемы, учитывающей все составляющие токопрохождения и наличие сопротивления подложки показывает большую устойчивость микрорельефных структур к радиационным обработкам.
Ушбу иш Шоттки барьерини атом қувватини сканерлаш микроскопии ёрдамида ўрганилган микрорелеф интер фейси билан радиациявий ишлов бериш усулларини ўрганиш натижаларига бағишланган. Эквивалент схемадан фойдаланган ҳолда ва ток узатишнинг барча каналларини ва таглик қаршилигининг мавжудлигини хисобга олган ҳолда ВАХ егри чизиғининг таҳлил қилиш микрориелефли тузилмаларнинг радиациявий ишлов беришга нисбатан юқори даражада барқарорлигини курсатади.
Работа посвящена результатам исследования радиационных обработок барьеров Шоттки с микрорельефной границей раздела, исследованной с помощью атомно-силовой сканирующей микроскопии. Анализ ВАХ с помощью эквивалентной схемы, учитывающей все составляющие токопрохождения и наличие сопротивления подложки показывает большую устойчивость микрорельефных структур к радиационным обработкам.
The paper concerns the results of the study of radiation treatment of Schottky's barriers with a micro relief interface being investigated with low-resolution scanning atomic force microscopy. The analysis of IV-curve by using the equivalent scheme and taking into account all the canals of charge transfer and the presence of substrate resistance shows a higher resistance of micro-textured structures to radiation treatment.
№ | Имя автора | Должность | Наименование организации |
---|---|---|---|
1 | Bekbergenov S.Y. | Professor | Karakalpak State university |
2 | Statov V.A. | Professor | Karakalpak State university |
3 | Tagaev M.B. | Professor | Karakalpak State university |
4 | Khozhamuratova A.R. | Professor | Karakalpak State university |
№ | Название ссылки |
---|---|
1 | 1. Dmitruk N.L., Mamykin S.V., Rengevych O.V. Formation, geometric and electronic properties of microrelief Au–GaAs interfaces //Applied Surface Science. 2000 V. 166, I. 1–4, p.97-102 |
2 | 2. Dmitruk N.L., Korovin A.V., Borkovskaya O.Yu., Dmytruk A.M., Mamontova I.B., Mamykin S.V. Plasmonic photovoltaics: Self-organized metal nanowires on the solar cell surface/interface//Proceedings of the 27th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition. 2012 p.408-411 |
3 | 3. Венгер Е.Ф., Дмитрук Н.Л., Яструбчак О.Б. Дифракционные решетки на поверхности полупроводников и их использование в поляритонной оптоэлектронике. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1997. - Вып.32. - С.116-138. |
4 | 4. Борковская О.Ю., Дмитрук Н.Л., Конакова Р.В., Литовченко В.Г., Тхорик Ю.А., Шаховцов В.И. Эффекты радиационного упорядочения в слоистых структурах на основе соединений А3В5. Препринт № 6. - Киев: ИФ УССР. - 1986.-68 с |
5 | 5. Борковская О.Ю., Горбач Т.Я., Дмитрук Н.Л., Мищук О.А. Влияние микрорельефа поверхности на электрофизические характеристики в контакте металлполупроводник с барьером Шоттки. Фотоэмиссионные характеристики. // ФТП. - 1989. - 23. - № 12. - С.2113-2117. |
6 | 6. Борковская О.Ю., Горбач Т.Я., Дмитрук Н.Л., Мищук О.А. Влияние микрорельефа поверхности на электрофизические характеристики в контакте металлполупроводник с барьером Шоттки. Вольтамперные характеристики контакта. // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. - 1989. - Вып.5. - С.50-55. |
7 | 7. Браиловский Е.Ю., Конозенко И.Д. О дефектах, вводимых в GaAs n-типа при облучении -квантами 60Со. // ФТП. - 1968. - 2. - № 11. - С.1620-1622. |
8 | 8. Belyaev A.E., Breza J., Venger E.F., Veseli M., Illin I.Yu., Konakova R.V., Liday J., Lyapin V.G., Milenin V.V., Prokopenko I.V., Tkhorik Yu.A. Radiation resistance of GasAs-based microwave Schottky-barrier devices. Kiev: Interpress Ltd. 1998. 127 p. |
9 | 9. Belyaev A.E., Venger E.F., Ermolovich I.B., Konakova R.V., Lytvyn P.M., Milenin V.V., Prokopenko I.V., Svechnokov G.S., Soloviev E.A., Fedorenko L.I. Effect of micorwave and laser radiations on the parameters of semiconductor streuctures. Kiev: Intas. 2002. 191 p. |
10 | 10. Danilchenko B. Budnyk A., Shpinar L., Poplavskyy D., Zelensky S.E., Barnham K.W.J., Ekins-Daukes N.J. 1 MeV electron irradiation influence on GaAs solar cell performance// Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 2008. V. 92, I. 11, p. 1336-1340 |