307

В статье изучено влияние микроволновой обработки на электрофизические свойства и на параметры арсенид-галлиевых поверхностно-барьерных структур Pt-n-n+-GaAs с барьером Шоттки. Объектом исследования являлись арсенид-галлиевые диодные структуры с БШ Pt-n-n+-GaAs. Доказан туннельный механизм токопереноса на прямой ветви вольтамперной характеристики. 

  • Ссылка в интернете
  • DOI
  • Дата создание в систему UzSCI21-07-2021
  • Количество прочтений307
  • Дата публикации20-06-2020
  • Язык статьиRus
  • Страницы13-15
Ўзбек

Мақолада Шоттки тўсиқли Pt-n-n+-GaAs арсенидгаллий юза-барьер структураларнинг параметрлери ва электрофизик хусусиятларига микро тўлқин билан нурландиришларнинг таъсири тадқиқот этилган. Тадқиқот объекти сифатида Pt-n-n+-GaAs арсенидгаллий юза-барьер структуралар олинган. Вольтампер характеристиканинг тўғри ветвисида ток ўтказишнинг туннел механизмга эга эканлиги кўрсатилди

Русский

В статье изучено влияние микроволновой обработки на электрофизические свойства и на параметры арсенид-галлиевых поверхностно-барьерных структур Pt-n-n+-GaAs с барьером Шоттки. Объектом исследования являлись арсенид-галлиевые диодные структуры с БШ Pt-n-n+-GaAs. Доказан туннельный механизм токопереноса на прямой ветви вольтамперной характеристики. 

English

This article studies the effect of microwave treatment on the electrophysical properties and on the parameters of gallium arsenide surface-barrier structures of Pt-n-n + -GaAs with a Schottky barrier. The object of the study was gallium arsenide diode structures with BS Pt-n-n + -GaAs. The tunneling mechanism of current transfer on the direct branch of the current-voltage characteristic is proved.

№ Имя автора Должность Наименование организации
1 Bekbergenov S.Y. Professor Karakalpak State university
2 Bazarbaeva F.M. Professor Karakalpak State university
№ Название ссылки
1 1. Исмаилов К.А., Конакова Р.В., Тхорик Ю.А., Хазан Л.С. Термическое, радиационное и полевое геттерирование в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах для СВЧ электроники. //Узб. физ. журнал. Ташкент.- 1992. -№4. -С.68-73.
2 2. Исмаилов К.А., Конакова Р.В., Тхорик Ю.А., Хазан Л.С. Эффекты релаксации внутренних напряжении в генераторных СВЧ диодах под влиянием сильных электрических полей. //Электронная техника Сер.2. Полупроводниковые приборы . Москва. 1989.-В.5(202).-С.23-27.
3 3. Болтовец Н.С., Камалов А.Б., Колядина Е.Ю., Конакова Р.В., Литвин П.М., Литвин О.С., Матвеева Л.А., Миленин В.В., Ренгевич А.Е. Релаксация внутренних механических напряжений в арсенидгаллиевых приборных структурах, стимулированная микроволновой обработкой. //Письма в ЖТФ. Санкт-Петербург. -2002. -Т.28. -Вып.4. -С.57-64.
4 4. Евстропов В.В., Джумаева М., Жиляев Ю.В., Назаров Н., Ситникова А.А., Федоров Л.М. Дислокационные происхождение модель избыточно-туннельного тока в p-n-структурах на основе GaP. //ФТП. Санкт-Петербург. 2000. -Т.34. -№11. -С.1357-1362.
5 5. Евстропов В.В., Жиляев Ю.В., Джумаева М., Назаров Н. Туннельно-избыточный ток в невырожденных барьерных p-n- и m-s-структурах AIIIBV на Si. //ФТП. Санкт-Петербург. 1997. -Т.31. -№2. -С.152-158.
6 6. Каражанов С.Ж, И.Г.Атабаев, Т.М.Салиев, Э.В.Канаки, Е. Джаксимов. Туннельно-избыточные токи в гетероструктурах p-Si-n-3С-SiC. //ФТП. Санкт-Петебург. 2001. –Т.35. -Вып. –С.75-77.
В ожидании