579

Обзор посвящен радиационной стойкости контактов металлов с фосфидами индия и галлия. Показано, что быстрые термические обработки снижают радиационную стойкость контактов на основе фосфидов, что подверждает важную роль взаимодействий на границе раздела для радиационной чуствительности структур металл-полупроводник.

  • Ссылка в интернете
  • DOI
  • Дата создание в систему UzSCI 22-08-2021
  • Количество прочтений 579
  • Дата публикации 20-09-2019
  • Язык статьиRus
  • Страницы17-20
English

Мақала фосфид индии ҳәм фосфид галлии контактлериниң радиацияға шыдамлылығына арналған. Сондай ақ, фосфид индии ҳәм фосфид галлий контактлери қайта ислеў радиацияға   шыдамлылығына алып келетуғынлығы көрсетилген.

Русский

Обзор посвящен радиационной стойкости контактов металлов с фосфидами индия и галлия. Показано, что быстрые термические обработки снижают радиационную стойкость контактов на основе фосфидов, что подверждает важную роль взаимодействий на границе раздела для радиационной чуствительности структур металл-полупроводник.

English

The review is devoted to the radiation resistance of metal contacts with indium and gallium phosphides. It was shown that fast heat treatments reduce the radiation resistance of phosphide-based contacts, which has an important effect on the radiation sensitivity interfaces of a structural metal-semiconductor.

№ Имя автора Должность Наименование организации
1 Abdikamalov B.A. Professor Karakalpak State university
2 Statov V.A. Professor Karakalpak State university
3 Tagaev M.B. Professor Karakalpak State university
№ Название ссылки
1 1. Мамонтов А.П., Чернов И.П. Эффект малых доз ионизирующего излучения. М.:«Энергоатомиздат»-2001.286 С
2 2. Диденко С.И., Кольцов Г.И., Ладыгин Е.А., Юрчук С.Ю. Влияние электронного облучения на электрофизические характеристики барьеров Шоттки на основе полупроводниковых соединений А3В5. //Физические свойства и методы исследования. -2000. -С.73-75.
3 3. Борковская О.Ю., Дмитрук Н.Л., Конакова Р.В., Литовченко В.Г. Радиационные эффекты в приграничной области фосфида галлия. //ЖТФ. -1982. –Т.52. -№ 6. –С.1194-1199.
4 4. Borkovskaya O.Yu., Dmitruk N.L., Konakova R.V. Litovchenko V.G., Shakhovtsov V. I. Influence of - and electron irradiation on recombination characteristics near the surface of GaAs. //Phys. Stat. Sol. -1980. (a) -V.58. -№1. –p.K25-K28.
5 5. Хакимов Т.М. Влияние радиационных воздействий на параметры диодов Шоттки Au-n-n+-GaP. //Изв. АН УзССР. -1985. -№ 2. –С.85-87.
6 6. А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, А.В. Бобыль, В.Н. Иванов, Л.М. Капитанчук, В.П. Кладько, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, А.А. Корчевой, О.С. Литвин, В.В. Миленин, С.В. Новицкий, В.Н. Шеремет. Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением γ-квантами 60Со. ФТП, 2010, том 44, вып. 12. Стр. 1607-1614
7 7. Тагав М.Б. Влияние внещних воздействий на электрофизические свойства пространственно-неоднородных диодных структур// Диссертации на соискание ученой степени д.т.н., –Ташкент, 2001 г.
В ожидании