254

 В работе исследовано формирование островков ультратонкой пленки теллура на поверхности кристалла кадмия теллура при облучении импульсами рубинового лазера. Возможным механизмом формирования такой пленки может быть диффузия междоузельного теллура и его накопление на поверхности.

  • Ссылка в интернете
  • DOI
  • Дата создание в систему UzSCI05-02-2022
  • Количество прочтений254
  • Дата публикации10-03-2017
  • Язык статьиRus
  • Страницы10-11
English

Мақалада рубин лазери менен импульслары менен нурландырылғанда тиллур кадмий кристаллары бетинде тиллурдың ультражуқа пленкасының атаўшықлары пайда болатуғыны үйренилген. Бундай пленканы пайда етиўши механизм тиллурдың узельаралық диффузиясы ҳәм оның тиллур бетинде топланыўы болыўы мүмкин.

Ўзбек

Мақолада рубин лазери импульслари билан нурлантирилганда тиллур кадмий кристаллари юзасида тиллурнинг ультраюпқа пленкасининг оролчалари пайдо бўлиши ўрганилган. Бу пленкани юзага келтирувчи механизм тиллурнинг узельаро диффузияси ва унинг тиллур юзида тўпланиши сабаб бўлиши мумкин.

Русский

 В работе исследовано формирование островков ультратонкой пленки теллура на поверхности кристалла кадмия теллура при облучении импульсами рубинового лазера. Возможным механизмом формирования такой пленки может быть диффузия междоузельного теллура и его накопление на поверхности.

English

The work studies the formation  of the islands of ultra-thin tellurium layer on the surface of CdTe crystal after annealing with short-pulse ruby laser. Possible mechanism for the tellurium layer formation is diffusion of interstitial Te atoms from the bulk crystal and accumulation of the element on the surface of an annealed sample.

 

Название ссылки
1 1. Артамонов В.В., Байдуллаева А., Власенко А.И. и др. Атомно-силовая микроскопия и рамановское рассеяние света лазерно-индуцированного структурного разупорядочения на поверхности p-CdTe // ФТТ 2004. Т. 46, вып. 8.
2 2. Alpen V.U., Doukhan J.C., Tsgaing R., Gross P. Defect induced optical absorbtion near the electronic band edge of tellurium // Phys. Status Solidi (b). – 1973. - Vol. 55, No 4..
3 3. Dubovski J.J., Bhat P.K., Wiiliams D.F., Becla P. // J. Vac. Sci. Technol. 1986. – Vol. A4.
В ожидании