Главная
Журналы
Авторы
Статьи
Новости
Русский
O'zbek
Англиский
Авторизоваться
ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРОЦЕССОВ ВОЛЬТ - ЁМКОСТНЫМ МЕТОДОМ В ОБЛУЧЕННЫХ СТРУКТУРАХ pCdTe- TeO 2 -n SnO 2 у - КВАНТАМИ
Главная
Статьи
ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРОЦЕССОВ ВОЛЬТ - ЁМКОСТНЫМ МЕТОДОМ В ОБЛУЧЕННЫХ СТРУКТУРАХ pCdTe- TeO 2 -n SnO 2 у - КВАНТАМИ
280
Название журнала
Физика полупроводников и микроэлектроника
Номер выпуска
2020, том 2, выпуск 2
Количество просмотров
280
Ссылка в интернете
https://uzjournals.edu.uz/semiconductors/vol2/iss2/10/
DOI
Дата создание в систему UzSCI
27-03-2022
Количество прочтений
0
Дата публикации
25-04-2020
Язык статьи
Rus
Страницы
63-70
Ключевые слова
Аннотации
Авторы
Список литературы
Просмотреть документ онлайн
№
Имя автора
Должность
Наименование организации
1
Utamuradova S.B.
Директор
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
№
Название ссылки
В ожидании