DEFECT FORMATION DURING LOW-TEMPERATURE ANNEALING OF SILICON DOPED WITH ION IMPURITIES

Utamuradova Sharifa Bekmuradovna

246

Название журналаФизика полупроводников и микроэлектроника
Номер выпуска2020, том 2, выпуск 3
Количество просмотров 246

Ссылка в интернете https://uzjournals.edu.uz/semiconductors/vol2/iss3/2/

DOI

Дата создание в систему UzSCI 27-03-2022

Количество прочтений 0

Дата публикации 25-06-2020

Язык статьиIngliz

Страницы13-16

Ключевые слова

№ Имя автора Должность Наименование организации

1 Utamuradova S.B. Директор НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ

№ Название ссылки

В ожидании