755
Издатель
Название:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI
Адрес:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.
Телефон: +998 71 248 79 94
Электронная почта: ispm_uz@mail.ru
| Название | 2020, том 2, выпуск 3 | ||
| Журнал | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Номер тома | 2 | ||
| Дата выпуска | 25/06/2020 | ||
| Страницы | 70 | ||
| Номер выпуска в этом году | 3 | ||
| Общее число | 6 | ||
| Файл | |||
| Полное название статьи | Язык | Страницы | Количество просмотров | Количество прочтений |
|---|---|---|---|---|
|
DIFFUSION OF CLUSTERS OF IMPURITY NICKEL ATOMS IN A SILICON LATTIC Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 9-12 | 241 | 0 |
|
DEFECT FORMATION DURING LOW-TEMPERATURE ANNEALING OF SILICON DOPED WITH ION IMPURITIES Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 13-16 | 245 | 0 |
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 17-19 | 204 | 0 |
|
FERMI THEORY ON DIMENSION EFFECTS IN MULTIPLE EXCITON GENERATION Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 20-22 | 231 | 0 |
|
FEATURES OF SILICON p-n STRUCTURES WITH A LARGE SENSITIVE SURFACE AND A VOLUME CHARGE AREA Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 23-26 | 286 | 0 |