FEATURES OF SILICON p-n STRUCTURES WITH A LARGE SENSITIVE SURFACE AND A VOLUME CHARGE AREA

198

Название журналаФизика полупроводников и микроэлектроника
Номер выпуска2020, том 2, выпуск 3
Количество просмотров198

Ссылка в интернете https://uzjournals.edu.uz/semiconductors/vol2/iss3/5/

DOI

Дата создание в систему UzSCI27-03-2022

Количество прочтений0

Дата публикации25-06-2020

Язык статьиIngliz

Страницы23-26

Ключевые слова

№ Имя автора Должность Наименование организации

1 Muminov R.A. scienstist Physical-Technical Institute SPA “Physics-Sun” of ASUz

№ Название ссылки

В ожидании