Главная
Журналы
Авторы
Статьи
Новости
Русский
O'zbek
Англиский
Авторизоваться
FEATURES OF SILICON p-n STRUCTURES WITH A LARGE SENSITIVE SURFACE AND A VOLUME CHARGE AREA
Главная
Статьи
FEATURES OF SILICON p-n STRUCTURES WITH A LARGE SENSITIVE SURFACE AND A VOLUME CHARGE AREA
285
Название журнала
Физика полупроводников и микроэлектроника
Номер выпуска
2020, том 2, выпуск 3
Количество просмотров
285
Ссылка в интернете
https://uzjournals.edu.uz/semiconductors/vol2/iss3/5/
DOI
Дата создание в систему UzSCI
27-03-2022
Количество прочтений
0
Дата публикации
25-06-2020
Язык статьи
Ingliz
Страницы
23-26
Ключевые слова
Аннотации
Авторы
Список литературы
Просмотреть документ онлайн
№
Имя автора
Должность
Наименование организации
1
Muminov R.A.
scienstist
Physical-Technical Institute SPA “Physics-Sun” of ASUz
№
Название ссылки
В ожидании