Главная
Журналы
Авторы
Статьи
Новости
Русский
O'zbek
Англиский
Авторизоваться
DEFECT STRUCTURE OF SILICON WITH AN IMPURITY OF TUNGSTEN UNDER THE INFLUENCE OF EXTERNAL FACTORS
Главная
Статьи
DEFECT STRUCTURE OF SILICON WITH AN IMPURITY OF TUNGSTEN UNDER THE INFLUENCE OF EXTERNAL FACTORS
262
Название журнала
Физика полупроводников и микроэлектроника
Номер выпуска
2020, том 2, выпуск 3
Количество просмотров
262
Ссылка в интернете
https://uzjournals.edu.uz/semiconductors/vol2/iss3/9/
DOI
Дата создание в систему UzSCI
27-03-2022
Количество прочтений
0
Дата публикации
25-06-2020
Язык статьи
Ingliz
Страницы
40-42
Ключевые слова
Аннотации
Авторы
Список литературы
Просмотреть документ онлайн
№
Имя автора
Должность
Наименование организации
1
Daliev S.K.
scienstist
Semiconductor Physics and Microelectronics Research Institute
№
Название ссылки
В ожидании