Главная
Журналы
Авторы
Статьи
Новости
Русский
O'zbek
Англиский
Авторизоваться
STUDY OF STRUCTURAL DISORDERING OF SILICON IONIC IMPLANTED WITH MANGANESE BY THE METHOD OF COMBINATION LIGHT SCATTERING (RS).
Главная
Статьи
STUDY OF STRUCTURAL DISORDERING OF SILICON IONIC IMPLANTED WITH MANGANESE BY THE METHOD OF COMBINATION LIGHT SCATTERING (RS).
209
Название журнала
Физика полупроводников и микроэлектроника
Номер выпуска
2020, том 2, выпуск 3
Количество просмотров
209
Ссылка в интернете
https://uzjournals.edu.uz/semiconductors/vol2/iss3/13/
DOI
Дата создание в систему UzSCI
27-03-2022
Количество прочтений
0
Дата публикации
25-06-2020
Язык статьи
Ingliz
Страницы
56-59
Ключевые слова
Аннотации
Авторы
Список литературы
Просмотреть документ онлайн
№
Имя автора
Должность
Наименование организации
1
Arzikulov E..
scienstist
Samarkand State University
№
Название ссылки
В ожидании