Главная
Журналы
Авторы
Статьи
Новости
Русский
O'zbek
Англиский
Авторизоваться
INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Главная
Статьи
INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
336
Название журнала
Физика полупроводников и микроэлектроника
Номер выпуска
2020, том 2, выпуск 4
Количество просмотров
336
Ссылка в интернете
https://uzjournals.edu.uz/semiconductors/vol2/iss4/2/
DOI
Дата создание в систему UzSCI
28-03-2022
Количество прочтений
0
Дата публикации
25-08-2020
Язык статьи
Ingliz
Страницы
14-17
Ключевые слова
Аннотации
Авторы
Список литературы
Просмотреть документ онлайн
№
Имя автора
Должность
Наименование организации
1
Daliev S.K.
scienstist
Semiconductor Physics and Microelectronics Research Institute
№
Название ссылки
В ожидании