986

Издатель

Название:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI

Адрес:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.

Телефон: +998 71 248 79 94

Электронная почта: ispm_uz@mail.ru

Название 2020, том 2, выпуск 4
Журнал Физика полупроводников и микроэлектроника
Номер тома 2
Дата выпуска 25/08/2020
Страницы 69
Номер выпуска в этом году 4
Общее число 6
Файл
В ожидании
Полное название статьи Язык Страницы Количество просмотров Количество прочтений

INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION

Физика полупроводников и микроэлектроника

 Ingliz 9-13 483 0

INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY

Физика полупроводников и микроэлектроника

 Ingliz 14-17 601 0

DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS

Физика полупроводников и микроэлектроника

 Ingliz 18-21 445 0

PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON

Физика полупроводников и микроэлектроника

 Ingliz 22-24 516 0

STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION

Физика полупроводников и микроэлектроника

 Ingliz 25-28 495 0