Главная
Журналы
Авторы
Статьи
Новости
Русский
O'zbek
Англиский
Авторизоваться
PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Главная
Статьи
PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
336
Название журнала
Физика полупроводников и микроэлектроника
Номер выпуска
2020, том 2, выпуск 4
Количество просмотров
336
Ссылка в интернете
https://uzjournals.edu.uz/semiconductors/vol2/iss4/4/
DOI
Дата создание в систему UzSCI
28-03-2022
Количество прочтений
0
Дата публикации
25-08-2020
Язык статьи
Ingliz
Страницы
22-24
Ключевые слова
Аннотации
Авторы
Список литературы
Просмотреть документ онлайн
№
Имя автора
Должность
Наименование организации
1
Mavlyanov A. .
scienstist
tate Enterprise “ Uzbek Japan Innovation Center of Youth”
№
Название ссылки
В ожидании