Главная
Журналы
Авторы
Статьи
Новости
Русский
O'zbek
Англиский
Авторизоваться
CRITERIA FOR OBTAINING COMPENSATED NICKEL SILICON
Главная
Статьи
CRITERIA FOR OBTAINING COMPENSATED NICKEL SILICON
283
Название журнала
Физика полупроводников и микроэлектроника
Номер выпуска
2020, том 2, выпуск 4
Количество просмотров
283
Ссылка в интернете
https://uzjournals.edu.uz/semiconductors/vol2/iss4/10/
DOI
Дата создание в систему UzSCI
28-03-2022
Количество прочтений
0
Дата публикации
25-08-2020
Язык статьи
Ingliz
Страницы
45-47
Ключевые слова
Аннотации
Авторы
Список литературы
Просмотреть документ онлайн
№
Имя автора
Должность
Наименование организации
1
Nasriddinov S.S.
Deputy Director
Semiconductor Physics and Microelectronics Research Institute
№
Название ссылки
В ожидании