INFLUENCE OF HIGH RADIATION DOSES ON THE BEHAVIOR OF TRANSITION ELEMENT IMPURITIES IN SILICON

Utamuradova Sharifa Bekmuradovna

112

Название журналаФизика полупроводников и микроэлектроника
Номер выпуска2020, том 2, выпуск 4
Количество просмотров 112

Ссылка в интернете https://uzjournals.edu.uz/semiconductors/vol2/iss4/13/

DOI

Дата создание в систему UzSCI 28-03-2022

Количество прочтений 0

Дата публикации 25-08-2020

Язык статьиIngliz

Страницы55-58

Ключевые слова

№ Имя автора Должность Наименование организации

1 Utamuradova S.B. Director Semiconductor Physics and Microelectronics Research Institute

№ Название ссылки

В ожидании