126

В работе приведены способы получения трехбарьерных фотодиодных структур на основе полупроводниковых соединений АIIIВV и АIIВIV, их технологические этапы, а также физические свойства и технологические характеристики. Механизм токопереноса в трехбарьерной фотодиодной Au-p(AlGa)0.95In0.05As-nGaAs:O-Ag- структуре определяется генерационными процессами с участием примесных уровней и захватом электронов примесными центрами, а также генерацией неосновных носителей в области объемного заряда запираемых барьеров. Трехбарьерные фотодиодные Au-рAlGaInAs-nGaAs-Agструктуры основаны на варьировании количества индия в гетерослое в зависимости от его функционального назначения.

  • Ссылка в интернете
  • DOIhttps://dx.doi.org/10.36522/2181-9637-2020-5-12
  • Дата создание в систему UzSCI 11-04-2022
  • Количество прочтений 126
  • Дата публикации 06-11-2020
  • Язык статьиRus
  • Страницы100-104
Ўзбек

Мақолада АIIIВV ва АIIВIV яримўтказгичли бирикмалар асосида уч барьерли фотодиод тузилмаларини олиш усуллари, уларнинг технологик босқичлари, шунингдек, физик ва технологик хусусиятлари тасвирланган. Уч барьерли фотодиод Au-p(AlGa)0.95In0.05As-nGaAs:O-Ag- тузилмаларда ток оқимининг ўтказилиш механизми аралашма даражалари ва аралашма марказларининг электронларни тортиб олишни қамраб олувчи генерацион жараёнлар, шунингдек, ёпиладиган барьерлар ҳажмий заряд соҳасидаги асосий бўлмаган ташувчилар генерацияси билан белгиланади. Уч барьерли фотодиод AuрAlGaInAs-nGaAs-Ag-тузилмалар функционал мақсадига қараб, гетероген қатламдаги индий миқдорининг ўзгартиришига асосланган.

Русский

В работе приведены способы получения трехбарьерных фотодиодных структур на основе полупроводниковых соединений АIIIВV и АIIВIV, их технологические этапы, а также физические свойства и технологические характеристики. Механизм токопереноса в трехбарьерной фотодиодной Au-p(AlGa)0.95In0.05As-nGaAs:O-Ag- структуре определяется генерационными процессами с участием примесных уровней и захватом электронов примесными центрами, а также генерацией неосновных носителей в области объемного заряда запираемых барьеров. Трехбарьерные фотодиодные Au-рAlGaInAs-nGaAs-Agструктуры основаны на варьировании количества индия в гетерослое в зависимости от его функционального назначения.

English

The paper describes the methods of obtaining three barrier photodiode structures based on the semiconductor compounds АIIIВV and АIIВIV, their technological stages, as well as physical properties and technological features. It studies the current transport mechanism in the three-barrier photodiode Au-p(AlGa)0.95In0.05As-nGaAs: O-Ag structure determined by generation processes involving impurity levels and electron capture by impurity centers, as well as by the generation of minority carriers in the space charge region of the barriers to be blocked, in particular three-barrier photodiode Au-pAlGaInAs-nGaAs-Ag structures based on varying the amount of indium in the heterolayer depending on its functional purpose.

№ Имя автора Должность Наименование организации
1 Zoirova L.X. fiziko-matematika fanlari nomzodi, dotsent Navoi davlat konchilik instituti
2 Xashimova F.X. katta o'qituvchi Navoi davlat konchilik instituti
№ Название ссылки
1 Вяткин А.П., Максимова Н.К., Филонов Н.Г. Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на GaAs // Вестник Томского государственного университета. – Томск, 2005. –№ 1. – С. 121-128.
2 Аверин С.В. Импульсный отклик МПМ фотодиода с гетеробарьером // ЖТФ. – СПб., 2004. – Т. 74. – № 6. – С.51-56.
3 Karimov A.V., Karimova D.A. Three-junction Au/AlGaAs(n)-GaAs(p): Agphotodiode// Materials Science in Semiconductor Processing. – February-June 2003. – Vol. 6. – Issues 1-3. – Pр. 137-142.
4 Каримов А.В., Ёдгорова Д.М. Некоторые особенности получения фототока в одно- и многобарьерных фотодиодных структурах // ФТП. – СПб., 2010. – Т. 44. – № 5. – С. 674-679.
5 Корольков В.И., Рожков А.В., Петропавловская Л.А. Высоковольтные арсенидгаллиевые диоды с субнаносекундными временами восстановления блокируюшего напряжения // Письма в ЖТФ. – СПб., 2001. – Т. 27. – № 17. – С. 46-50.
6 Атабаев И.Г. Влияние различных химических обработок поверхности на высоту барьеров Al-pSiGe, Au-nSiGe / Атабаев И.Г., Матчанов Н.А., Хажиев М.У., Пак В., Салиев Т.М. // ФТП. – СПб., 2010. – Т. 44. – Вып. 5. – С. 631-635.
7 Ёдгорова Д.М. Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений АIIIВV / Ёдгорова Д.М., Каримов А.В., Гиясова Ф.А., Саидова Р.А. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2007. – № 3. – С. 56-58.
В ожидании