382

В гетероструктуре p- CdTe - SiO2 - Si легко реализуются необходимые условия для существования оптической спектральной памяти - наличие асимметричных микропотенциальных барьеров и глубоких ловушек. Время релаксации способности запоминания в нем составляет 25 суток. Гетероструктуру можно использовать как оптоэлектронную спектральную ячейку памяти, способную не только запоминать сигналы, но и суммировать их.

  • Ссылка в интернете
  • DOI
  • Дата создание в систему UzSCI14-07-2022
  • Количество прочтений0
  • Дата публикации22-09-2015
  • Язык статьиRus
  • Страницы47-50
Ўзбек

p- CdTe - SiO2 - Si гетеротузилмасида оптик спектрал хотира - чуқур ушлагич (сатҳ)лар ва асимметрик микропотенциал тўсиқларнинг мавжудлиги учун зарур бўлган шароитлар осонликча амалга оширилади. Унда эсга олиш қобилиятининг релаксация вақти 25 суткани ташкил этади.
Бундай гетероструктурадан нафақат сигналларни эсда олиб қолиш, балки уларни йиғиш қобилиятига эга бўлган хотиранинг оптоэлектрон спектрал ячейка (уя) сифатида ҳам фойдаланиш мумкинлиги кўрсатилган.
 

Русский

В гетероструктуре p- CdTe - SiO2 - Si легко реализуются необходимые условия для существования оптической спектральной памяти - наличие асимметричных микропотенциальных барьеров и глубоких ловушек. Время релаксации способности запоминания в нем составляет 25 суток. Гетероструктуру можно использовать как оптоэлектронную спектральную ячейку памяти, способную не только запоминать сигналы, но и суммировать их.

English

The necessary conditions for existing of optic spectral memory- existing of asymmetric micropotential barriers and deep catchers  are easily realized in geterostructure p- CdTe - SiO2 - Si.  The relaxation time of memorizing ability comprises 25 days. The geterostructure can be used as optoelectronic spectral cell of memory, enabling not only to memorize sygnals but also to sum them.

№ Имя автора Должность Наименование организации
1 Otajonov S.M. 1 National Universitet of Uzbekistan
2 Alimov N.E. 2 National Universitet of Uzbekistan
3 Hayitova G.B. 3 National Universitet of Uzbekistan
№ Название ссылки
1 1. Шейнкман М.К. Шик А.Я.. ФТП. 10. стр. 209 (1976)
2 2. Отажонов С.М. Физическая инженерия поверхности. Украина, том 2, №1-2, стр 28-31 (2004) ъ
3 3. Вайткус Ю.Ю., Отажонов С.М. Поверхность. – Москва: Наука, 3 стр. 44-49 (1999).
4 4. Абдуллаев Э.А., Вайткус Ю.Ю., Отажонов С.М. Запоминающее устройство. Патент. I НДР РУз № 9700869.1. от 15.03.99 168 стр.
В ожидании