496

P-CdTe-SiO 2 -Si-Al гетеротузилмасида асимметрик микропотенциал барьерлар ва чуқур тутқичларнинг 
мавжудлиги  –  спектрал  оптик  хотира  учун  зарур  шароитларни  яратади.  Релаксация  вақти  25  сутка 
атрофида.  Гетеротузилмадан  оптоэлектрон  спектрал  хотира  ячейкаси  сифатида  фойдаланиш  мумкин, 
бунда у сигналларни нафақат сақлабгина қолмасдан, уларни жамлаб ҳам боради.  

  • Ссылка в интернете
  • DOI
  • Дата создание в систему UzSCI 09-08-2022
  • Количество прочтений 0
  • Дата публикации 28-10-2017
  • Язык статьиO'zbek
  • Страницы16-19
Ўзбек

P-CdTe-SiO 2 -Si-Al гетеротузилмасида асимметрик микропотенциал барьерлар ва чуқур тутқичларнинг 
мавжудлиги  –  спектрал  оптик  хотира  учун  зарур  шароитларни  яратади.  Релаксация  вақти  25  сутка 
атрофида.  Гетеротузилмадан  оптоэлектрон  спектрал  хотира  ячейкаси  сифатида  фойдаланиш  мумкин, 
бунда у сигналларни нафақат сақлабгина қолмасдан, уларни жамлаб ҳам боради.  

Русский

В  гетероструктуре  P-CdTe-SiO 2 -Si-Al  легко  реализуются  необходимые  условия  для  существования 
оптической  спектральной  памяти  -  наличие  асимметричных  микропотенциальных  барьеров  и  глубоких 
ловушек. Время релаксации ‒ около 25 суток. Гетероструктуру можно использовать как оптоэлектронную 
спектральную ячейку памяти, способную не только запоминать сигналы, но и суммировать их. 

English

In heterestructure, Р-CdTe-SiO 2- Si-Al it is easily realized necessary conduction for existence of optical spectral 
memory presence asymmetric micro potential barriers and deep equations. Time of a relaxation, which happens about 
25 days. It is possible to use heterestructure as opto - electronic memory capable not only to remember signals, but also 
to summarize them. 

№ Имя автора Должность Наименование организации
1 Xoldorov M.. 4 Ferghana State University
2 Otajonov S.. 3 Ferghana State University
3 Alimov N.. 1 Ferghana State University
4 Botirov K.. 2 Ferghana State University
№ Название ссылки
1 1. Шейнкман М.К., Шик А.Я.//ФТП. - 1976. - № 10.
2 2. Отажонов С.М.//Физическая инженерия поверхности. - 2004. - Т. 2, № 1-2.
3 3. Вайткус Ю.Ю., Отажонов С.М.//Поверхность. АН России. - 1999. - № 3.
4 4. Абдуллаев Э., Вайткус Ю., Отажонов С. Запоминающее устройство. // Патент. I НДР РУз. № 9700869.1. от 15.03.99.
В ожидании