168

Ёруғлик ва деформация таъсирида p-n ўтишда электрон ва ковакларнинг Ферми квазисатхларини ўрганилган. Ферми квазисатҳларининг ёруғлик ва деформация таъсирида ўзгаришлари билан p-n ўтишли диоднинг вольтампер характеристикасини боғлиқлиги кўриб чиқилган. Ёруғлик ва деформация таъсирида электрон ва ковакларнинг ферми квазисатхларининг ўзгариши p-n ўтишли диоднинг вольтампер характеристикасини j -V текислиги бўйлаб кучли силжишига сабаб бўлиши кўрсатилган.

  • Ссылка в интернете
  • DOI
  • Дата создание в систему UzSCI31-08-2022
  • Количество прочтений168
  • Дата публикации11-08-2020
  • Язык статьиO'zbek
  • Страницы11-18
Русский

Исследовоно изменения квазиуровеней Ферми электронов и дырок при освещение света и деформации. Рассмотрено связь между вольтамперной характеристикой p-n перехода и изменениями квазиуровней Ферми электронов и дқрок. Показано, что изменение квазиуровней Ферми освещением приводит к сильному перемещению вольтамперной характеристики p-n перехода по j-V плоскости.

English

Investigated the changes in the quasi-Fermi levels of electrons and holes under illumination of light and deformation. The relationship between the current-voltage characteristic of the pn junction and the changes in the quasi-Fermi levels of electrons and nuclei is considered. It is shown that a change in the Fermi quasilevels by illumination leads to a strong displacement of the current – voltage characteristic of the p – n junction along the j – V plane .

Ўзбек

Ёруғлик ва деформация таъсирида p-n ўтишда электрон ва ковакларнинг Ферми квазисатхларини ўрганилган. Ферми квазисатҳларининг ёруғлик ва деформация таъсирида ўзгаришлари билан p-n ўтишли диоднинг вольтампер характеристикасини боғлиқлиги кўриб чиқилган. Ёруғлик ва деформация таъсирида электрон ва ковакларнинг ферми квазисатхларининг ўзгариши p-n ўтишли диоднинг вольтампер характеристикасини j -V текислиги бўйлаб кучли силжишига сабаб бўлиши кўрсатилган.

Название ссылки
1 Ҳелмут Спиелер “Introduction to radiation detectors and Electronis”, 30 – мар – 99. IX.2.a. A semiconductor device primer – doping and diodes.
2 S. Zi “Physics of Semiconductor Devices” volume - 1. Page (91 - 100).
3 V.L. Bonch-Bruevich, S. G. Kalashnikov “Physics of Semiconductors”, Nauka, Moscow, 1977
В ожидании