Впервые разработана математишеская модель определения влияния поглощения микроволнового излушения на температурную зависимость осчиллячии Шубникова-де Гааза в полупроводниках. На основании предложенной математишеской модели выведены с использованием экспериментальных результатов осчиллячии поглощение микроволнового излушения в полупроводниковых структурах при высоких температурах
Впервые разработана математишеская модель определения влияния поглощения микроволнового излушения на температурную зависимость осчиллячии Шубникова-де Гааза в полупроводниках. На основании предложенной математишеской модели выведены с использованием экспериментальных результатов осчиллячии поглощение микроволнового излушения в полупроводниковых структурах при высоких температурах
Birinchi marta yarimo’tkazgichlarda Shubnikov-dе Gaaz ossillyasiyalarining haroratga bog’liqligiga mikroto’lqinli elеktromagnit maydon ta`sirini aniqlashning matеmatik modеli ishlab chiqilgan. Taklif etilayotgan modеlga asosan, yarimo’tkazgichli strukturalarda mikroto’lqinli maydon ta`siridagi ekspеrimеnt natijalari yuqori haroratlarda tushuntirish imkoni paydo bo’lgan
For the first time, a mathematical model has been developed to determine the effect of absorption of microwave radiation on the temperature dependence of the Shubnikov-de Haas oscillations in semiconductors. Based on the proposed mathematical model, the absorption of microwave radiation in semiconductor structures at high temperatures was derived using the experimental oscillation results.
| № | Имя автора | Должность | Наименование организации |
|---|---|---|---|
| 1 | Erkabayev U.I. | fizika-matеmatika fanlari doktori, | Namangan muhandislik – texnologiya instituti |
| 2 | Raximov R.G. | katta o’qituvchi | Namangan muhandislik texnologiyasi instituti |
| № | Название ссылки |
|---|---|
| 1 | Alhun Aydin, Altug Sisman. Quantum oscillations in confined and degenerate Fermi gases. I. Half-vicinity model // Physics letters A. 2018. Vol.382. pp.1807-1812. |
| 2 | Klaus von Klitzing. 25 Years of quantum Hall effect (QHE): A personal view on the discovery, physics and applications of this quantum effect // Seminaries Poincare. 2004. Vol.2, pp.1-10. |
| 3 | Bagraev N.T., Grigoryev V.Yu., Klyachkin L.E., Malyarenko A.M., Mashkov V.A., Romanov V.V., Rul` N.I. High-temperature quantum kinetic effect in silicon nanosandwiches // Low temperature physics, 2017. Vol.43, No.1, pp.132-142. |
| 4 | Kazuma Eto, Zhi Ren, Taskin A.A, Kouji Segawa, Yoichi Ando. Angular-dependent oscillations of the magnetoresistance in Bi2Se3 due to the three-dimensional bulk Fermi surface // Phys.Rev. В, 2010. Vol.81, Iss.19. pp.5309-5310. |
| 5 | Schoenberg D. Magnetic oscillations in metals. New York, Wiley. 1986. pp.350-400. |
| 6 | Veinger A.I., Kochman I.V., Okulov V.I., Andriichuk M.D., Paranchich L.D. Microwave magnetoabsorption oscillations in Fe- doped HgSe crystals // Semiconductors. 2018. Vol.52, Iss.8, pp.980-985. |
| 7 | ЭркабоевУ.И.Влияние температуры и давления на осчиллячионные явления в полупроводниках в квантующем магнитном поле: Дис. доктора философии (PhD) по физико-математишеским наукам – Ташкент: АНРУз ФТИ, 2017.-144 с. |
| 8 | Гулямов‖ Г.,‖Шарибаев‖ Н.Ю.,‖ Эркабоев‖ У.И.‖ Температурная‖ зависимость‖ плотности‖ состояний‖в‖полупроводниках.‖Наманган.‖«Наманган»‖изд.‖2015.‖210‖С. |
| 9 | Bass F., Bochkov V.S., Gurevich Yu.G. Electrons and phonons in limited semiconductors. Moscow,‖‚Science‛.‖1984‖y.‖250‖P. |
| 10 | Чидилковский‖И.М.‖Электроны‖и‖дырки‖в‖полупроводниках.‖М.,‖«Наука»,‖1972,‖с.‖ 447 |
| 11 | Anselm A.I. Introduction to the theory of semiconductors. (Nauka, Moscow, 1978), Ch. 8, pp.492. |
| 12 | Pässler‖R.‖Parameter‖sets‖due‖to‖fittings‖of‖the‖temperature‖dependencies‖of‖fundamental‖ band gaps in semiconductors // Phys.stat. sol.(b). 1999. Vol.216. pp.975-990 |
| 13 | Капустин‖А.А.,‖Столяров‖В.С.,‖Божко‖С.И.,‖Борисенко‖Д.Н.,‖Колесников‖Н.Н.‖ Поверхностная‖природа‖квазидвумерных‖осчиллячий‖Шубникова-де‖Гааза‖в‖Bi2Te2Se // ЖЭТФ.‖2015.‖Т.148.‖вып.‖2(8).‖С.321-332 |