150

В этой статье впервые теоретически определена зависимость плотности энергетических состояний от температуры в квантующем магнитном поле. Проведено математическое моделирование процессов с использованием экспериментальных значений сплошного спектра плотности состояний, показана возможность расчета дискретных уровней Ландау
 

  • Ссылка в интернете
  • DOI
  • Дата создание в систему UzSCI 22-01-2023
  • Количество прочтений 150
  • Дата публикации 10-12-2020
  • Язык статьиRus
  • Страницы37-42
Русский

В этой статье впервые теоретически определена зависимость плотности энергетических состояний от температуры в квантующем магнитном поле. Проведено математическое моделирование процессов с использованием экспериментальных значений сплошного спектра плотности состояний, показана возможность расчета дискретных уровней Ландау
 

Ўзбек

Ushbu maqolada ilk bor kvantlovchi magnit maydonda tеrmodinamik holatlar zichligini haroratga bog’liqligi nazariy aniqlangan. Holatlar zichligini uzluksiz spеktrining ekspеrimеntal qiymatidan foydalanib tuzilgan matеmatik modеllashtirish jarayoni Landau diskrеt sathlarini hisoblash imkoni ochib bеrilgan
 

English

This article was the first to theoretically determine the dependence of the density of energy states on temperature in a quantizing magnetic field. Mathematical modeling of processes using experimental values of a continuous spectrum of density of states is carried out, the possibility of calculating discrete Landau levels is shown
 

№ Имя автора Должность Наименование организации
1 Erkaboyev U.I. доктор физико-математческих наук Наманганский инженерно-технологический институт
2 Raximov R.G. старший преподаватель Наманганский инженерно-технологический институт
№ Название ссылки
1 Брандт Н.Б., Кульбачинский В.А. Квазичастицы в физике конденсированного состояния. – Москва, Физматлит. 2007. - 632 С
2 Баграев Н.Т., Брилинская Е.С., Кляшкин Л.Е., Маляренко А.М., Романов В.В. Эффекты Шубникова-де Гааза и де Гааза-ван Альфена в объемных кристаллах и низкоразмерных структурах // Научно-технические ведомости СПбГПУ. - Санкт-Петербург, 2011. -№ 4(134). - С. 7-11
3 Гулямов Г., Шарибаев Н. Определение дискретного спектра плотности поверхностных состояний МОП структур Al-SiO2-Si облученных нейтронами // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследование. -Москва, 2012. -№9, -С. 1-5
4 Гулямов Г., Шарибаев Н.Ю. Определение плотности поверхностных состояний границы раздела полупроводник-диэлектрик в МДП структуре // Физика и техника полупроводников. – Санкт-Петербург, 2011.- Т.45, вып 2. - С.178-182
5 Шарибаев Н.Ю. Математическое моделирование определения плотности поверхностных состояний на границе раздела SiO2-Si в приборах с зарядовой связья: Дис. < канд. физ. - мат.наук. – Ташкент: АНРУз ФТИ, 2011. -119 с
6 Gulyamov G., Erkaboev U.I., Sharibaev N.Yu. Simulation of the temperature dependence of the density of states in a strong magnetic field // Joural of Modern Physics. - USA. 2014. –Vol. 5, No.8. –P.680-685
В ожидании