54

В работе имплантацией ионов Ni+ в Si в сочетании с отжигом в приповерхностном слое Si на глубине 15-25 nm получены нанокристаллические фазы и слои NiSi2. При D=8∙1016 см-2 формировалась нанопленочная гетероструктура типа Si/NiSi2/Si. Методами оже-электронной спектроскопии, растровой электронной и атомно-силовой микроскопии изучено формирование эпитаксиальных слоев NiSi2 при осаждении Ni в Si с последующим отжигом. Показано, что при толщинах h<150 Å формируются островковые пленки NiSi2.

  • Ссылка в интернете
  • DOI
  • Дата создание в систему UzSCI 15-09-2024
  • Количество прочтений 54
  • Дата публикации 12-03-2022
  • Язык статьиRus
  • Страницы74-77
Русский

В работе имплантацией ионов Ni+ в Si в сочетании с отжигом в приповерхностном слое Si на глубине 15-25 nm получены нанокристаллические фазы и слои NiSi2. При D=8∙1016 см-2 формировалась нанопленочная гетероструктура типа Si/NiSi2/Si. Методами оже-электронной спектроскопии, растровой электронной и атомно-силовой микроскопии изучено формирование эпитаксиальных слоев NiSi2 при осаждении Ni в Si с последующим отжигом. Показано, что при толщинах h<150 Å формируются островковые пленки NiSi2.

№ Имя автора Должность Наименование организации
1 Aliqulov M.N. f-m.f.n., dotsent QarMII
2 Tashatov A.. f-m.f.d., prof. QarshiDU
3 Mustafoyeva N.M. o'qituvchi QarshiDU
4 Eshboboyev S.M. dotsent QarshiDU
№ Название ссылки
1 1.M.V. Gomoyunova, I.I. Pronin, N.R. Gall’, S.L. Molotcov, D.V. Vyalykh. // Fizika tverdogo tela (FTT) 45. No.8, 1519 (2003).
2 2.A.A.Altuxov., V.V. Jirnov., A.A. Altuxov., V.V.Jirnov. // Materialы II-go Vsesoyuznogo mejotraslevogo soveщaniya “Tonkie plenki v elektronike”: Moskva-Ijevsk. c. 15-22 (1991).
3 3.Colinge J.P. // Material Research Society Proceedings. V. 35. P. 653. http://dx.doi.org/doi 10.1557/ PROC-35-653 (1985).
4 Ergashov Y.S., Tashmuxamedova D.А., Umirzakov B.E. //Poverxnostь. Rentgenovskie, sinxrotronnыe i neytronnыe issledovaniya, № 4, s. 104–108 (2014)
5 5.Suryana R., Nakatsuka O., Zaima S.//Jpn. J. Appl. Phys. 50. 05 EA 09-1 (2011).
6 6.Tomilin S.V., Yattovskiy А.S., Tomilina O.А., Mi-kaelyan G.R. //FTP. t. 47. № 6. s. 772 (2013)
7 7.Donaev S.B., Umirzakov B.E., Tashmuxamedova D.А. Nanorazmernыe strukture v ionno implantirovannыx Si i GaAs // LAP(rasshifrovat) . Germaniya. 202 s (2016).
8 8.Boltaev X.X., Tashmuxamedova D.А., Umirzakov B.E. //Poverxnostь. Rentgenovskie, sinxrotronnыe i neytronnыe issledovaniya. 2014. № 4. s. 24.
9 9.Samsonov G.V., Dvorina L.А., Rudь B.M. Silitsidы. – M.: Metallurgiya, 1979. –272s.Ergashov Y.S., Umirzakov B. Ye. //JTF. Т.83.№2 С.1859-1862 (2018).
10 10.Tashatov A.K., Mustafoeva N.M.. // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, Vol.14, No 1, pp. 81-84 (2020).
11 11.Tashatov А.K., Umirzakov B.E., Mustafoeva N.M.. // “MIFI” VI mejdunarodnaya konferentsiya “Lazernыe,plazmennыe issledovaniya i texnologii LaPLАZ-2020 ” Moskva. c. 92-93 (2020)
В ожидании